[发明专利]微LED器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710638221.5 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107482030B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡家豪;郑烨;陈文志;钟丹丹;刘晶;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62;G09F9/33 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 器件 及其 制作方法 | ||
1.微LED器件，至少包括一衬底、间隔排列于衬底上的复数个LED元件，所述LED元件至少包括依次层叠的外延片和透明导电层，其特征在于：
所述复数个LED元件共用一个衬底；
所述衬底内部与LED元件对应位置具有复数个贯穿衬底的通孔；
所述衬底的背面还具有金属背板，所述金属背板具有复数个与通孔对应的凸起，所述凸起插入通孔内并与外延片电性导通；
所述LED表面还置有一透明盖板，所述透明盖板包括透明上盖板、复数个导电垫块、复数个金属触点和复数个导电线，所述导电垫块位于透明上盖板下表面并与LED元件位置对应，所述金属触点位于透明上盖板下表面的外周，所述导电线连接导电垫块和金属触点；
所述透明盖板和金属背板接入电源后，将电流注入LED元件内，使LED元件发射一定波长的光并穿过透明盖板发射。
2.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述外延片为P-I-N结构，至少包括依次层叠的N型层、发光层和P型层。
3.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述通孔的深度大于或等于所述衬底的厚度。
4.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述金属触点、导电线、导电垫块、LED元件、凸起的数目相同。
5.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述金属背板为一体结构，所述复数个LED元件共用一个金属背板。
6.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述金属背板由复数个电性隔离的子金属背板组成，每个子金属背板与一个LED元件对应。
7.根据权利要求6所述的微LED器件，其特征在于：所述金属触点、导电线、导电垫块、LED元件、子金属背板、凸起的数目相同。
8.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述金属背板为金或铬或铂或钛或镍单层结构或者任意几种形成的多层结构。
9.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述金属触点为金或铬或铂或钛或镍单层结构或者任意几种形成的多层结构。
10.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述导电垫块、导电线、透明导电层材料相同，均为氧化铟锡或者氧化锌或者铟锌氧化物。
11.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述透明上盖板的材料为玻璃或者蓝宝石。
12.根据权利要求1所述的微LED器件，其特征在于：所述LED元件的宽度为80~100微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
