[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成有源层；

在形成所述有源层的衬底上，依次形成栅绝缘薄膜、栅金属薄膜和光刻胶；

采用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分位于待形成栅极的区域，所述光刻胶完全去除部分位于所述光刻胶完全保留部分的两侧且位于所述有源层的上方，所述光刻胶半保留部分位于其他区域；

采用刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜和所述栅绝缘薄膜进行刻蚀；其中，对所述栅绝缘薄膜进行刻蚀后，形成包括第一过孔的栅绝缘层；

去除所述光刻胶半保留部分，对所述光刻胶半保留部分对应的所述栅金属薄膜进行刻蚀，形成所述栅极，并去除所述光刻胶完全保留部分；

在形成所述栅极的衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括与所述第一过孔重叠的第二过孔；

在形成所述层间绝缘层的衬底上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述层间绝缘层上的所述第二过孔、所述栅绝缘层上的所述第一过孔与所述有源层接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在采用刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜和所述栅绝缘薄膜进行刻蚀之后，形成所述层间绝缘层之前，所述制备方法还包括：对露出的所述有源层进行导体化处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述光刻胶半保留部分，包括：

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；或者，

采用一定光强的紫外线照射所述光刻胶半保留部分和所述光刻胶完全保留部分，显影后完全去除所述光刻胶半保留部分，使光刻胶完全保留部分的部分厚度保留。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜和所述栅绝缘薄膜进行刻蚀，包括：

采用湿法刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜进行刻蚀；采用干法刻蚀工艺对露出的所述栅绝缘薄膜进行刻蚀；或者；

采用干法刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜进行刻蚀；采用干法刻蚀工艺对露出的所述栅绝缘薄膜进行刻蚀。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述源极和所述漏极的衬底上形成钝化层。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备薄膜晶体管。