[发明专利]用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法及电子装置

说明书

本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×M^a[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。

相关申请案的交叉参考

本申请案要求2016年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2016-0166797号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法以及包括硅氧层的电子装置。

背景技术

平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。此外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。绝缘层可以是包含硅组分的硅氧层。通常，通过涂布聚硅氮烷、聚硅氧烷或其混合物并且将所述涂层转化成氧化物膜来形成硅氧层，并且在薄膜耐久性方面需要抗蚀刻性以及同时在涂层特性方面需要间隙填充特征以便获得均匀的层。这些特征彼此具有平衡关系，并且因此需要同时满足所述特性的用于形成硅氧层的材料。

发明内容

一个实施例提供用于形成具有密集型结构的硅氧层的组成物，其可减少损耗或层应力的产生，并且改良抗蚀刻性以及同时确保间隙填充特征。

另一实施例提供一种使用用于形成硅氧层的组成物制造硅氧层的方法。

另一实施例提供一种包含硅氧层的电子装置。

根据一实施例，用于形成硅氧层的组成物包括含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。

[方程式1]

η＝k×M^a

在方程式1中，

η是含硅聚合物的固有粘度，

M是含硅聚合物的绝对分子量，

a是分支比，以及

k是固有常数。

含硅聚合物的固有粘度可在3mg/L到15mg/L范围内。

含硅聚合物的绝对分子量可在2,000g/mol到300,000g/mol范围内。

含硅聚合物可包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。

溶剂可包含由以下各项中选出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁酮以及其组合。

按用于形成硅氧层的组成物的总量计，可包含0.1重量％到30重量％的量的含硅聚合物。

根据另一实施例，用于制造硅氧层的方法包含在衬底上涂布用于形成硅氧层的组成物，干燥涂布有所述用于形成硅氧层的组成物的衬底以及在250℃到1,000℃下固化所述用于形成硅氧层的组成物。

根据另一实施例，电子装置包括硅氧层。