[发明专利]一种晶片传输系统有效
申请号: | 201710634904.3 | 申请日: | 2017-07-30 |
公开(公告)号: | CN107507796B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 胡冬冬;李娜;许开东 | 申请(专利权)人: | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟;袁建水 |
地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 传输 系统 | ||
本发明公开了一种晶片传输系统,包括:加载腔室,呈长方体状,并在一侧设有开口;伸缩导向机构,安装在所述加载腔内,包括纵移导向装置和横移导向装置,其中所述横移导向装置以可移动的方式安装在所述纵移导向装置上,所述纵移导向装置安装固定在所述加载腔室中;机械手,为平板状,一端设有凹槽用于放置晶片,另一端安装在所述横移导向装置上,整体可从所述加载腔的开口处伸出;伸缩驱动机构,与所述横移导向装置相连接,带动所述机械手进行伸缩运动,从所述加载腔的开口处伸出或回收;伸缩限位机构,安装在所述伸缩驱动机构上,对所述机械手的初始位置和终点位置进行限制。进一步地,本发明还包括升降导向机构和升降驱动机构,可以实现对晶片的升降传输。
技术领域
本发明涉及半导体设备领域,具体涉及一种晶片传输系统。
背景技术
在半导体工艺制程中经常会用到有毒或者危险气体,如硅烷(SiH4)和氨(NH3)等等。同时随着半导体制程精密度和要求的不断提高,晶片对颗粒和其他污染物越来越敏感,因此在高效率的半导体制造设备中需要一种大气或者真空下的晶片传输系统,以防止由小颗粒引起的污染和反应区域的有毒有害气体泄漏。与此同时在某些低成本单晶片制程设备中,除了在水平面内搬运晶片,还需要将晶片抬高或者降低一定位置。
发明内容
为了解决上述问题,本发明公开一种晶片传输系统,包括:加载腔室,呈长方体状,并在一侧设有开口;伸缩导向机构,安装在所述加载腔内,包括纵移导向装置和横移导向装置,其中所述横移导向装置以可移动的方式安装在所述纵移导向装置上,所述纵移导向装置安装固定在所述加载腔室中;机械手,为平板状,一端设有凹槽用于放置晶片,另一端安装在所述横移导向装置上,整体可从所述加载腔的开口处伸出;伸缩驱动机构,与所述横移导向装置相连接,带动所述机械手进行伸缩运动,从所述加载腔的开口处伸出或回收;以及伸缩限位机构,安装在所述伸缩驱动机构上,对所述机械手的初始位置和终点位置进行限制。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述纵移导向装置包括固定导向杆和固定座,通过所述固定座将所述固定导向杆以与所述加载腔室的设有所述开口的面相垂直的方式安装在所述加载腔室中。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述横移导向装置包括横移导向杆、滑块、过渡块和摇臂,其中,所述横移导向杆通过所述滑块以可移动的方式安装在所述固定导向杆上,所述过渡块以可移动的方式安装在所述横移导向杆上,所述过渡块与所述摇臂相连接,所述摇臂与所述伸缩驱动机构相连接。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述过渡块底部设有圆柱状凸起,所述摇臂一端对应设置有孔,所述圆柱状凸起插入所述孔中使所述过渡块与所述摇臂相连接。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述横移导向装置包括移动座和摇臂,所述移动座以可移动的方式安装在所述固定导向杆上,所述移动座与所述摇臂相连接,所述摇臂与所述伸缩驱动机构相连接。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述移动座底部设有圆柱状凸起,所述摇臂上对应设有长槽,所述圆柱状凸起插入所述长槽中并可在所述长槽内往复滑动。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述伸缩驱动机构包括电动机、减速器、联轴器、磁流体密封件和支撑座,所述电动机输出扭矩,通过所述减速器放大,所述减速器的输出轴与所述磁流体密封件的转子的一端通过所述联轴器相连接,所述磁流体密封件的转子的另一端与所述摇臂相连接,所述支撑座呈半圆筒状,所述减速器的输出轴与所述联轴器从所述支撑座中穿过,所述支撑座安装在所述装载腔室底部。
本发明的晶片传输系统,优选为,所述伸缩限位机构包括遮光板和两个光电传感器,所述遮光板安装在所述联轴器的一侧,所述两个光电传感器设置在所述支撑座的半圆筒外壁上,并且位置可调节。
本发明的晶片传输系统,优选为,还包括升降导向机构和升降驱动机构,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造