[发明专利]纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710633569.5 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107445594B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 鄢文;吴贵圆;马三宝;李楠;李亚伟 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/04 分类号: C04B35/04;C04B35/20;C04B38/08;C04B35/626;C04B35/622
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 纳米 孔径 多孔 方镁石 橄榄石 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:

步骤一、先将菱镁矿细粉以1~2℃/min的速率升温至600~800℃,保温1~4小时;再以2~3℃/min的速率升温至800~1200℃,保温1~5小时,冷却,得到高孔隙率的氧化镁粉体;

步骤二、按所述高孔隙率的氧化镁粉体为65~95wt%、硅溶胶为0.1~18wt%和二氧化硅微粉为0.1~22wt%,先将所述高孔隙率的氧化镁粉体置于真空搅拌机中,抽真空至2.0kPa以下,再将硅溶胶和二氧化硅微粉倒入真空搅拌机中,搅拌15~30分钟,关闭抽真空系统,得到混合料;

步骤三、将所述混合料升温至110~220℃,保温2~5h,冷却,在30~100MPa条件下机压成型;成型后的坯体于110~150℃条件下干燥12~36小时;然后以2~3℃/min的速率升温至800~1200℃,保温1~5小时;再以3~5℃/min速率升温至1400~1600℃,保温3~8小时,冷却,即得纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述菱镁矿细粉粒径小于0.088mm,所述菱镁矿细粉的MgO含量为42~50wt%。

3.根据权利要求1所述的纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述硅溶胶的SiO2含量为30~40wt%。

4.根据权利要求1所述的纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料的制备方法,其特征在于所述二氧化硅微粉粒径小于0.002mm,所述二氧化硅微粉SiO2含量大于96wt%。

5.一种纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料,其特征在于所述纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料是根据权利要求1~4项中任一项所述纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料的制备方法所制备的纳米孔径的多孔方镁石-镁橄榄石陶瓷材料。

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