[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板可以在保证液晶显示面板功能特性的前提下减少对ESD、LCQ的管控。所述阵列基板包括LCQ测试配线、驱动配线、ADD配线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管均包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、第一电极及第二电极，其中，三个所述第一电极由第一金属层形成，三个所述第二电极由与所述第一金属层间隔设置的第二金属层形成，所述第一金属层与所述LCQ测试配线电连接，所述第二金属层与所述驱动配线电连接，所述第一薄膜晶体管的所述栅电极与所述第一金属层电连接，所述第二薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二金属层电连接。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示面板的制备包括阵列基板(Array)工序、彩膜基板(CF)工序以及阵列基板与彩膜基板的对盒(Cell)工序，一般在进行Cell工序时要进行面板功能测试(CellTest)，以检测显示面板在Array、CF、Cell这三个工序中出现的不良，把不良的产品层别出来。目前Cell Test常用的方法是通过dataline和gateline反端子侧及LCQ(LiquidCrystal Display Quick)部分注入信号使液晶分子偏转进行画质检测，LCQ原理：测试时通过ADD信号打开TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，然后使得R/G/B信号传入以使得液晶分子旋转。另外，在液晶显示面板的制备时，为了避免静电对产品的损伤，在液晶显示面板中一般均设置有静电保护电路(Electro-Static discharge，ESD)。ESD原理：当Data出现高电压时会将TFT打开，高电压信号通过TFT传输至Short Ring区域，从而将大电流传输出去，起到静电防护的作用。

近年来，每个像素具有TFT的液晶显示面板、有机EL显示装置正在普及。TFT利用在玻璃基板等基板上形成的半导体层制作形成阵列基板。相关技术中的阵列基板采用4PEP(Four Photo Engraving Process，四道光罩制程)，需要分别对ESD和LCQ区域内的TFT进行沟道检测，从而使得检测时间过长，进而影响产能。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板及液晶显示面板可以在保证液晶显示面板功能特性的前提下减少对ESD和LCQ的管控。

本发明的技术方案如下：

一种阵列基板，包括衬底玻璃以及设于所述衬底玻璃一侧的LCQ测试配线、驱动配线、ADD配线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管均包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、第一电极及第二电极，所述栅绝缘层位于所述栅电极和所述半导体层之间，所述第一电极和所述第二电极位于所述半导体层背离所述栅电极的一侧，其中，三个所述第一电极由第一金属层形成，三个所述第二电极由与所述第一金属层间隔设置的第二金属层形成，所述第一金属层和所述第二金属层在所述衬底玻璃上的正投影呈直条状，所述第一金属层与所述LCQ测试配线电连接，所述第二金属层与所述驱动配线电连接，所述第一薄膜晶体管的所述栅电极与所述第一金属层电连接，所述第二薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二金属层电连接。

优选地，所述半导体层背离所述栅电极的一侧形成有沟道区域，所述沟道区域的两侧分别设有与所述第一电极电连接的第一区域及与所述第二电极电连接的第二区域。

优选地，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管均还包括设于所述第一区域上的第一接触层及设于所述第二区域上的第二接触层，所述第一电极和所述第二电极分别通过所述第一接触层和所述第二接触层与所述半导体层电连接。

优选地，所述阵列基板还包括一绝缘保护层，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管位于所述衬底玻璃和所述绝缘保护层之间。