[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

曝光一基板上的一光阻层；

对曝光的该光阻层进行一临场处理工艺，其中该临场处理工艺沉积一处理材料于曝光的该光阻层中，其中该处理材料的第一部份键结至曝光的该光阻层中的一潜图案的表面，其中该处理材料包括一第一单体、一第二单体、与一第三单体的一或多者，其中该第一单体、该第二单体、与该第三单体彼此不同；以及

显影曝光的该光阻层，进而移除该处理材料的第二部份，以提供一处理后的图案化光阻层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在曝光该光阻层之后以及进行该临场处理工艺之前，进行一烘烤工艺。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中移除该处理材料的第二部份采用的一溶剂，包括醋酸正丁酯、2-庚烷、与醋酸异戊酯中至少一者。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制作方法，其中该溶剂的分配系数大于1.82。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一单体包括脂肪族化合物、C4-C20的烷基、环烷基、C4-C20的饱合或未饱合碳氢环、与C5-C20的杂环基中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一单体的玻璃转换温度低于80℃。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二单体包含碱，其酸解离常数大于7且小于13。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二单体包含NH₃基、一级至三级胺基、OH^-基、NCS^-基、烯基、酚基、C5-C20的杂环基、与CN基中至少一者。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第三单体包含苯乙烯与酚醛化合物中至少一者。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该处理材料的分子量小于20000。

11.一种半导体装置的制作方法，包括：

曝光一基板上的一光阻层，以形成一光阻层中的一潜图案；

对曝光的该光阻层进行一临场处理工艺，其中该临场处理工艺沉积一处理材料于曝光的该光阻层中与该潜图案的侧壁上，其中该处理材料包括一第一单体、一第二单体、与一第三单体的一或多者，且该第一单体、该第二单体、与该第三单体彼此不同；

在进行该临场处理工艺之后，显影曝光的该光阻层以提供一处理后的图案化光阻层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中该潜图案具有第一线宽粗糙度，且其中该处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中沉积该处理材料于曝光的该光阻层中及该潜图案的侧壁上的步骤，包括该处理材料通过氢键、离子键、或共价键键结至该潜图案的表面。

14.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中沉积该处理材料于曝光的该光阻层中及该潜图案的侧壁上的步骤，包括该处理材料扩散穿过该光阻层的曝光部份或未曝光部份。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中该处理材料包括具有该第一单体、该第二单体、与该第三单体的一共聚物。