[发明专利]一种LDMOS器件

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其元胞结构包括：衬底、位于所述衬底顶层一侧的第二导电类型半导体源衬底区、位于所述衬底顶层另一侧的第一导电类型半导体漏区、位于所述第二导电类型半导体源衬底区与第一导电类型半导体漏区之间衬底表面的表面耐压区；所述第二导电类型半导体源衬底区中具有相互独立的第二导电类型重掺杂体接触区一和第一导电类型重掺杂源区一；器件表面与第二导电类型重掺杂体接触区一和第一导电类型重掺杂源区一接触的是源极金属，第一导电类型重掺杂源区一、部分第二导电类型半导体源衬底区和部分表面耐压区的上表面具有第一栅介质层，所述第一栅介质层的上表面具有第一栅极；所述第二导电类型半导体源衬底区、第二导电类型重掺杂体接触区一、第一导电类型重掺杂源区一、源极金属、第一栅介质层和第一栅极形成第一有源区，第一有源区和表面耐压区相靠近侧形成第一导电类型MOSFET；其特征在于：

所述表面耐压区由第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层形成，所述第二导电类型半导体层部分包围第一导电类型半导体层设置于衬底的上表面，第一导电类型半导体层靠近第二导电类型半导体源衬底区设置，表面耐压区中两层半导体层均与所述第二导电类型半导体源衬底区接触，表面耐压区中第二导电类型半导体层与第一导电类型半导体漏区接触，而第一导电类型半导体层不与第一导电类型半导体漏区接触；第一导电类型半导体层靠近第一导电类型半导体漏区的一端具有第一导电类型重掺杂半导体区一，所述第一导电类型重掺杂半导体区一上表面具有第一浮空电极；

所述第一导电类型半导体漏区中具有相互独立的第二导电类型重掺杂源区二和第一导电类型重掺杂体接触区二；器件表面与第二导电类型重掺杂源区二和第一导电类型重掺杂体接触区二接触的是漏极金属，所述第一导电类型半导体漏区中还具有第一导电类型重掺杂半导体区二，所述第一导电类型重掺杂半导体区二上表面具有第二浮空电极，所述第一导电类型重掺杂半导体区二与第一导电类型重掺杂体接触区二之间不存在将二者连通的第一导电类型重掺杂半导体区域，第二导电类型重掺杂源区二、部分第一导电类型半导体漏区及部分表面耐压区的上表面具有第二栅介质层，所述第二栅介质层的上表面具有第二栅极，所述第二栅极分别与第一浮空电极和第二浮空电极相连接；所述第一导电类型半导体漏区、第二导电类型重掺杂源区二、第一导电类型重掺杂体接触区二、第一导电类型重掺杂半导体区二、漏极金属、第二栅介质层、第二栅极和第二浮空电极形成第二有源区，第二有源区和表面耐压区相靠近侧形成第二导电类型MOSFET。

2.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于，所述表面耐压区还包括被部分包围在所述第一导电类型半导体层中的第二导电类型顶层，所述第二导电类型顶层的上表面与器件上表面重合。

3.根据权利要求1或2所述的一种LDMOS器件，其特征在于，所述第二导电类型重掺杂源区二和第一导电类型重掺杂体接触区二并列设置，定义第二导电类型重掺杂源区二和第一导电类型重掺杂体接触区二的纵向长度分别为L₁₃和L₁₄，则二者满足：L₁₃-L₁₄≦50μm。

4.根据权利要求3所述的一种LDMOS器件，其特征在于，所述衬底为第一导电类型或者第二导电类型的轻掺杂半导体材料，所述半导体材料为体硅、氮化镓或者碳化硅。

5.根据权利要求3所述的一种LDMOS器件，其特征在于，所述衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包括第一导电类型或者第二导电类型的半导体层和位于其上的介质层。

6.根据权利要求4或5所述的一种LDMOS器件，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.根据权利要求4或5所述的一种LDMOS器件，其特征在于，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。