[发明专利]太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池在审

申请号：	201710630198.5	申请日：	2017-07-28
公开（公告）号：	CN107437573A	公开（公告）日：	2017-12-05
发明（设计）人：	黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩	申请（专利权）人：	浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L31/068;H01L21/67
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司11227	代理人：	胡素莉,李海建
地址：	314416 浙江***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池硅片扩散方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池。

背景技术

目前，将硅片制作为太阳能电池主要包括步骤：制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结。其中，扩散是指在硅片的表层进行掺杂制成PN结结构。

常规管式扩散的方法为：将硅片依序放入石英舟中，将载有硅片的石英舟推送入管式扩散炉的扩散炉管内，并将扩散炉管升温至第一预设温度；向扩散炉管内通入工艺气体，扩散炉管保持均衡温度一定时间，以进行恒定源扩散；停止通入工艺气体，扩散炉管保持均衡温度一定时间，以进行限定源扩散；当扩散炉管的温度降至第二预设温度时，取出硅片，完成扩散。

上述扩散方法中，工艺气体自扩散炉管的炉尾至扩散炉管的炉口经过硅片，受气体流向影响，炉尾处工艺气体的浓度较高，炉口处工艺气体的浓度较低。由于在恒定源扩散和限定源扩散期间，都是保持一个均衡的温度进行扩散，即扩散炉管内各个位置的温度相等，工艺气体的浓度越大扩散电阻越小，扩散炉管的温度越高扩散电阻越小，导致采用上述扩散方法扩散后扩散方阻自炉口到炉尾递减，扩散方阻的一致性较差，扩散均匀性较差。

综上所述，如何扩散太阳能电池硅片，以提高扩散方阻的一致性，提高扩散均匀性，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池硅片的扩散方法，以提高扩散方阻的一致性，提高扩散均匀性。本发明的另一目的是提供一种管式扩散炉，该管式扩散炉能够根据上述太阳能电池硅片的扩散方法完成扩散。本发明的另一目的是提供一种太阳能电池，该太阳能电池的PN结由上述太阳能电池硅片的扩散方法制作。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池硅片的扩散方法，包括步骤：

将硅片送至扩散炉管内；

加热所述扩散炉管，以使所述扩散炉管内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向增高；

对所述扩散炉管内的硅片进行扩散。

优选地，所述工艺气体自所述扩散炉管的炉尾向所述扩散炉管的炉口充入所述扩散炉管。

优选地，所述扩散炉管包括至少两个管段，相邻两个所述管段内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向增高。

优选地，所述扩散炉管内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向递增。

优选地，所述扩散炉管内的最高温度和最低温度的差值为1℃-20℃，所述扩散炉管内的温度不小于780℃且不大于800℃。