[发明专利]FFS型液晶显示器及其制备方法

权利要求书

1.一种FFS型液晶显示器，包括TFT阵列基板；其特征在于，

所述TFT阵列基板包括：设置在第一衬底基板上的公共电极、设置在所述公共电极上的绝缘保护层以及设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极和第二像素电极；

所述绝缘保护层在所述第一像素电极和第二像素电极之间设有暴露出所述公共电极的开孔。

2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述开孔通过光刻制程将所述第一像素电极和第二像素电极之间的绝缘保护层刻蚀出所需图形并暴露出所述公共电极形成。

3.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：设置在所述公共电极、绝缘保护层、第一像素电极和第二像素电极上并覆盖整个公共电极的配向膜。

4.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，通过所述开孔，所述第一像素电极、公共电极、第二像素电极间形成纵向离子分散通道，从而减少所述第一像素电极和第二像素电极上方离子电荷的聚集。

5.一种FFS型液晶显示器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤1、提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成公共电极；

步骤2、在所述公共电极上形成绝缘保护层；

步骤3、在所述绝缘保护层上形成像素电极层；

步骤4、通过光刻制程在所述像素电极层上形成第一像素电极和第二像素电极，同时在所述第一像素电极和第二像素电极之间的所述绝缘保护层上形成暴露出所述公共电极的开孔。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4包括：

在所述像素电极层上涂布一层光阻材料形成光阻层，同时提供一掩膜板以对所述光阻层进行光刻；

利用所述掩膜板对所述光阻层进行光刻，形成一光阻层通孔暴露出所述像素电极层；

通过所述光阻层通孔对所述像素电极层进行刻蚀，形成所述第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极之间形成一像素电极通孔暴露出所述绝缘保护层；

通过所述光阻层通孔和像素电极通孔对所述绝缘保护层进行刻蚀，形成暴露出所述公共电极的所述开孔；

剥离未被刻蚀的所述光阻层。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过所述步骤4中形成的所述开孔，所述第一像素电极、公共电极、第二像素电极间形成纵向离子分散通道，从而减少所述第一像素电极和第二像素电极上方离子电荷的聚集。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

步骤5、在所述公共电极、绝缘保护层、第一像素电极和第二像素电极上形成覆盖整个公共电极的配向膜。