[发明专利]一种超分子插层结构抗光老化材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超分子插层结构抗光老化材料，其化学通式为：

[M²⁺_1-wM³⁺_w(OH)₂](A^-)_x(B^-)_y(C^-)_z·eH₂O

其中w＝x+y+z，0.2≤w≤0.4,0.01<x<0.38,0.01<y<0.38，0.01<z<0.38；0.4<e<1；

M²⁺为Mg²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Ca²⁺、Fe²⁺、Cu²⁺中的任意一种或两种；M³⁺为Al³⁺、Co³⁺、Ti³⁺、Fe³⁺、Cr³⁺三价金属阳离子中的一种或两种；A^-为有机弱还原剂阴离子，B^-为紫外吸收剂阴离子，C^-为自由基捕获剂阴离子；

所述的有机弱还原剂A为柠檬酸亚锡钠、L-苏氨酸钠、抗坏血酸钠、山梨酸钾中的一种或多种；

所述的紫外吸收剂B为对氨基苯甲酸钠、对-甲氧基肉桂酸钠、水杨酸钠、2-羟基-4-甲氧基-二苯甲酮-5-磺酸钠、香豆素-3-羧酸钠、肉桂酸钠、苯并三唑-4-羟基-苯磺酸钠、2-苯基苯并咪唑-5-磺酸钠中的一种或几种；

所述的自由基捕获剂C的化学式如下式所示：

式中R₁为H或CH₃；R₂为O-R₃-COONa、NH-R₃-COONa、O-R₃-SO₃Na或NH-R₃-SO₃Na，其中R₃为[CH₂]_m[C₆H₄]_n，m为1-8之间的整数，n＝0或1。

2.根据权利要求1所述的超分子插层结构抗光老化材料，其特征是M²⁺为Mg²⁺、Zn²⁺中的一种，M³⁺为Al³⁺。