[发明专利]一种光纤倏逝波传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：该方法包括：

步骤1：将多模石英光纤制成锥型多模石英光纤；

步骤2：将锥型多模石英光纤进一步制成U型的结构体，形成锥+U型多模石英光纤；

步骤3：直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼，形成基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器。

2.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤1中，多模石英光纤采用规格为62.5/125μm的多模石英光纤。

3.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤1中将多模石英光纤制成锥型多模石英光纤的制作具体步骤为：

步骤1-1：取60cm的多模石英光纤，去其包层；

步骤1-2：用光纤拉锥机将多模石英光纤的中间区域拉锥，由多模石英光纤制成锥型多模石英光纤。

4.如权利要求3所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤2中形成锥+U型多模石英光纤的制作具体步骤为：

步骤2-1：采用丁烷喷灯喷烧步骤1-2中制成的锥型多模石英光纤；

步骤2-2：在锥型多模石英光纤软化后，将锥型多模石英光纤锥形区的锥尖处制成U型的结构体，形成锥+U型多模石英光纤。

5.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤3中，采用热分解四硫代钼酸铵的方法直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼；直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼的制作具体步骤为：

步骤3-1：将锥+U型多模石英光纤完全浸入食人鱼溶液中30分钟，采用去离子水冲洗，并烘干；

步骤3-2：将步骤3-1处理过的锥+U型多模石英光纤浸入到四硫代钼酸的二甲基甲酰胺溶液中30秒，拿出至氮气环境下晾干；

步骤3-3：将步骤3-2处理过的锥+U型多模石英光纤放入石英管中，气压抽至10^-3Pa，通入氩气和氢气，并加热到500℃，维持石英管内温度500℃90分钟，降至室温，在锥+U型多模石英光纤上生长成二硫化钼。

6.如权利要求5所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤3-2中的四硫代钼酸的二甲基甲酰胺溶液采用1mL的0.01g/ml四硫代钼酸的二甲基甲酰胺溶液；

所述步骤3-3中的氩气采用80sccm氩气；氢气采用40sccm氢气。

7.一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器，采用如权利要求1-6所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，该倏逝波传感器包括：

锥+U型多模石英光纤；

和

直接生长在锥+U型多模石英光纤的二硫化钼薄膜。

8.如权利要求7所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器，其特征是：所述锥+U型多模石英光纤的锥形区最小直径为50μm，锥形区长3mm。

9.如权利要求7所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器，其特征是：所述锥+U型多模光纤的U型区的直径为1.453mm。

10.如权利要求7所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器，其特征是：所述二硫化钼薄膜的层数为两层，两层所述二硫化钼薄膜的厚度为1.3nm。