[发明专利]一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置

权利要求书

1.一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，包括互感器(1)、激磁电压源(2)、激磁电压频率检测电路(3)、低通滤波器(4)、信号放大电路(5)、电网频率检测电路(6)、微处理器(7)、脱扣电路(8)、脱扣器(9)、漏电保护器(10)、电源(11)及采样电阻(12)，所述A、B、C相线和中线N穿过互感器(1)，采样电阻(12)、互感器次级绕组串联与激磁电压源(2)三者串联，低通滤波器(4)和信号放大电路(5)组成信号调理电路，所述采样电阻(12)一端通过信号调理电路连接微处理器(7)；所述频率检测电路(3)的输入与激磁电压源(2)连接，所述频率检测电路(3)的输出与微处理器(7)连接；微处理器(7)输出与脱扣电路(8)连接，脱扣电路(8)的输出与脱扣器(9)相连，脱扣器(9)的动作受微处理器(7)的控制，所述脱扣器(9)与漏电保护器(10)连接，所述电源(11)与各部分电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述的漏电保护器(10)为漏电断路器或漏电继电器。

3.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述激磁电压源(2)是由R14、R19、R20、R21、R22、R23、三极管Q2、Q3和放大器U5B构成的、差分运算放大器U8A和由R24构成的采样电阻(12)串联。

4.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述电源(11)由变压器T1、二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、集成稳压器U2、光耦U3、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C14、电感L1、L2和电阻R1组成，T1输出的电压经二极管D1、D6整流后输出到电感L1、L2。

5.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述激磁电压频率检测电路(3)由D15、R16、R17构成，由激磁电压源(2)发出的方波信号通过激磁电压频率检测电路(3)输入微处理器(7)。

6.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述低通滤波器(4)是由R32、C27及运算放大器U9A构成的电压跟随器组成一个一阶滤波器和由运算放大器U9B、R26、R30、R31、C25、C26构成的二阶滤波器共同构成的三阶滤波器组成。

7.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述信号放大电路(5)由运算放大器U9C和R27、R28、R29、R33、R34构成，所述低通滤波器(4)和信号放大电路(5)构成的信号调理电路将漏电信号调理后经R25输送到微处理器(7)。

8.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述电网频率检测电路(6)由运算放大器U6A，R8、R9、R29、D12、D13构成，电网频率信号被整形成方波后经R10输入到微处理器(7)。

9.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述脱扣电路(8)和脱扣器(9)组成的开关装置通过R11、Q1和继电器K1受微处理器(7)的控制。

10.根据权利要求1所述的一种任意波形下无死区漏电保护方法及装置，其特征在于，所述U1、C9、C10、C11、C12、C13、DS1-DS25、R2、R5、R6、R7、RES1D、RES2A构成按键/显示电路，按键/显示电路与微处理器(7)连接并受微处理器(7)控制。