[发明专利]处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

腔室主体，所述腔室主体限定内部容积；

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述内部容积中，所述基板支撑组件配置成支撑基板；

中心导管，所述中心导管配置成将工艺气体从工艺气体源直接提供到气室；以及

喷淋头组件，所述喷淋头组件设置在所述内部容积中、在所述基板支撑组件上方，

所述喷淋头组件包括：

面板，所述面板具有第一侧和第二侧，所述第一侧面向所述喷淋头组件，所述面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将所述气室中的气体混合物从所述第一侧输送到所述第二侧；以及

底板，所述底板被定位在所述面板的所述第一侧的相邻位置，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板来流入限定在所述面板与所述底板之间的所述气室，其中所述惰性气体会与所述工艺气体在所述气室中混合。

2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：

扩散板，所述扩散板设置在所述面板与所述底板之间。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述底板中的所述多个孔隙分成多个区域。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述面板中的所述多个孔隙被定位在所述底板中的所述多个区域下方。

5.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：

流比控制设备，所述流比控制设备耦接至每个区域，所述流比控制设备具有供应线路，所述供应线路包括：

阀，所述阀被配置成将所述供应线路打开和关闭；以及

孔口，所述孔口被配置成控制穿过所述供应线路的所述惰性气体的流率。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述底板中形成的所述多个区域对应于所述面板中的多个区域。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，每个区域被提供有不同浓度惰性气体。

8.一种处理腔室，包括：

腔室主体，所述腔室主体限定内部容积；

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述内部容积中，所述基板支撑组件配置成支撑基板；

中心导管，所述中心导管配置成将工艺气体从工艺气体源直接提供到气室；以及

喷淋头组件，所述喷淋头组件设置在所述内部容积中、在所述基板支撑组件上方，所述喷淋头组件包括：

面板，所述面板具有第一侧和第二侧，所述面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体混合物从所述第一侧输送到所述第二侧；以及

底板，所述底板被定位在所述面板的所述第一侧的相邻位置，从而在所述面板与所述底板之间限定所述气室，其中所述底板具有多个区域，其中每个区域包括导通率控制器组件，所述导通率控制器组件从所述底板延伸到所述气室之中，所述导通率控制器组件具有轴和耦接到所述轴的端部的板，其中所述导通率控制器组件在升高位置与降低位置之间移动，所述升高位置和降低位置限定所述气室中的所述工艺气体混合物的量。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其进一步包括：

扩散板，所述扩散板设置在所述底板与所述面板之间。

10.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述面板中的所述多个孔隙对应于所述底板中的多个区域。

11.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述导通率控制器控制从所述面板离开的工艺气体的量。

12.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述导通率控制器组件进一步包括：

Z形台，所述Z形台被配置成支撑电机。

13.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，每个区域包含不同浓度工艺气体。