[发明专利]法拉第屏蔽件及反应腔室

权利要求书

1.一种法拉第屏蔽件，包括导电环体，在所述导电环体上形成有开缝，其特征在于，所述开缝包括第一子开缝，所述第一子开缝沿所述导电环体的圆周方向设置，且与所述导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在所述导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率，来增加该电磁场的总耦合效率。

2.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一子开缝与所述导电环体的轴线之间形成的所述夹角为45°。

3.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述开缝还包括沿所述导电环体的轴向设置的第二子开缝。

4.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第二子开缝与所述第一子开缝相互交叉。

5.根据权利要求4所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第二子开缝为一个或多个，且多个所述第二子开缝沿所述第一子开缝的延伸方向间隔分布。

6.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一子开缝在所述导电环体的两个端面之间完全断开所述导电环体；

所述第二子开缝在所述导电环体的两个端面之间断开部分所述导电环体。

7.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一子开缝在所述导电环体的两个端面之间断开部分所述导电环体；

所述第二子开缝在所述导电环体的两个端面之间完全断开所述导电环体。

8.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一子开缝与所述导电环体的轴线之间形成的所述夹角为90°。

9.根据权利要求8所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一子开缝为一个或多个，且多个所述第一子开缝沿所述导电环体的轴向间隔分布。

10.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，在所述导电环体的圆周方向上划分有多个第一区域和多个第二区域，且多个所述第一区域和多个所述第二区域相间设置；

在每个所述第一区域内设置有所述第一子开缝，且所述第一子开缝为至少两个，且沿所述导电环体的轴向间隔分布；

在每个所述第二区域内设置有所述第二子开缝，且所述第二子开缝为至少两个，且沿所述导电环体的圆周方向间隔分布。

11.根据权利要求10所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，多个所述第一区域和多个所述第二区域相对于所述导电环体的圆周均匀分布；

至少两个所述第一子开缝相对于所述第一区域均匀分布；至少两个所述第二子开缝相对于所述第二区域对称分布。

12.根据权利要求10所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述第一区域在所述导电环体的圆周方向上的宽度为50～200mm。

13.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述开缝为一个或多个，且多个所述开缝沿所述导电环体的圆周方向间隔且均匀分布。

14.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，在所述导电环体上，且位于所述开缝中设置有阻挡部，所述阻挡部使所述开缝在所述导电环体的外环壁与内环壁之间形成曲折通道。

15.根据权利要求14所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述阻挡部为两个，分别为第一阻挡部和第二阻挡部，二者分别设置在所述导电环体的在所述开缝处的第一端面和第二端面上，其中，

所述第一阻挡部自所述第一端面朝向所述第二端面延伸，且与所述第二端面之间具有第一间隙；

所述第二阻挡部自所述第二端面朝向所述第一端面延伸，且与所述第一端面之间具有第二间隙；

所述第一阻挡部和第二阻挡部之间在所述导电环体的径向上具有第三间隙；

所述第一间隙、第二间隙和第三间隙构成所述曲折通道。

16.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，在所述开缝中填充有介质材料。

17.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽件，其特征在于，所述开缝的宽度的取值范围在2～10mm。

18.一种反应腔室，包括介质筒、法拉第屏蔽件和射频线圈，所述射频线圈环绕设置在所述介质筒的外侧；所述法拉第屏蔽件环绕设置在所述介质筒的内侧，其特征在于，所述法拉第屏蔽件采用权利要求1-17任意一项所述的法拉第屏蔽件。