[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极；

在所述栅极的侧壁上形成偏移侧墙，所述偏移侧墙包括原始侧墙以及位于所述原始侧墙侧壁的氧化层，所述氧化层是由于自然氧化生成的；

在所述氧化层的自然氧化饱和时间之前，对所述氧化层进行灰化处理，以使所述偏移侧墙具有稳定的厚度；

对所述氧化层进行灰化处理包括：采用含氮气体对所述氧化层进行灰化处理，所述氧化层被灰化处理后生成厚度稳定的氮化物，所述氮化物为所述偏移侧墙的一部分；

对所述氧化层进行灰化处理之后，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述含氮气体包括N₂H₂和N₂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述氧化层进行灰化处理的灰化温度为265摄氏度至285摄氏度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在相邻的偏移侧墙之间，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入包括：

形成覆盖所述栅极和所述偏移侧墙的光刻胶层作为所述轻掺杂离子注入的掩膜；

以所述光刻胶层为掩膜对所述半导体衬底进行所述轻掺杂离子注入。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入包括：

对所述第一区域进行轻掺杂离子注入；

其中，所述第一区域用于形成静态随机存取存储器件，所述第二区域用于形成输入/输出器件。

6.一种采用权利要求1至5任一项所述半导体器件的形成方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅极，位于所述半导体衬底上；

偏移侧墙，所述偏移侧墙包括原始侧墙以及位于所述原始侧墙侧壁且厚度稳定的覆盖层，所述覆盖层是通过对所述原始侧墙的侧壁的氧化层进行灰化处理得到的，所述氧化层是由于自然氧化生成；所述覆盖层的材料包括：氮化物。