[发明专利]改良的热处理腔室

权利要求书

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：

真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间且面对所述第一拱形结构；

准直能量源，所述准直能量源接近所述真空腔室的所述第二拱形结构放置，其中所述第二拱形结构的至少一部分及所述基板支撑件对从所述准直能量源发射的准直能量为光学透明的；

金属构件，所述金属构件设置于所述真空腔室的所述第二拱形结构和所述准直能量源之间，其中所述金属构件包括多个孔隙；和

反射器，所述反射器用于引导来自所述准直能量源的准直能量通过所述金属构件中的所述多个孔隙。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第二拱形结构为锥形。

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第二拱形结构和所述基板支撑件由石英制成。

4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中所述准直能量源与所述第二拱形结构为实质上共形的。

5.如权利要求3所述的基板处理设备，其中所述准直能量源形成与设置在所述基板支撑件上的基板的沉积表面实质平行的平面。

6.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述准直能量源包括多个激光器。

7.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述多个激光器包括激光二极管、光纤激光器或光纤耦合激光器。

8.一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：

真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间且面对所述第一拱形结构；

准直能量源，所述准直能量源接近所述真空腔室的所述第二拱形结构放置；和

金属构件，所述金属构件设置于所述真空腔室的所述第二拱形结构和所述准直能量源之间。

9.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述金属构件与所述第二拱形结构为共形的。

10.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述准直能量源包括多个激光器。

11.如权利要求10所述的基板处理设备，其中所述多个激光器包括激光二极管、光纤激光器或光纤耦合激光器。

12.如权利要求8所述的基板处理设备，其中所述金属构件包括多个孔。

13.如权利要求12所述的基板处理设备，其中一个或更多个光学部件设置在所述多个孔的每一个孔内部。

14.如权利要求13所述的基板处理设备，其中所述一个或更多个光学部件包括透镜、散射器和/或均化器。

15.一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：

真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间且面对所述第一拱形结构；

准直能量源，所述准直能量源接近所述真空腔室的所述第二拱形结构放置；

反射器，所述反射器设置于所述准直能量源和所述第二拱形结构之间；和

金属构件，所述金属构件设置于所述反射器和所述第二拱形结构之间。

16.如权利要求15所述的基板处理设备，其中所述反射器包括多个反射性表面和设置在每个反射性表面上方的镜。

17.如权利要求15所述的基板处理设备，其中所述反射器包括多个反射器环，并且每个环包括两个反射性表面。

18.如权利要求15所述的基板处理设备，进一步包括多个折射器，所述多个折射器设置于所述准直能量源和所述第二拱形结构之间。

19.如权利要求18所述的基板处理设备，其中所述多个折射器中的每一个折射器包括第一表面、第二表面、第三表面及第四表面，其中所述第一表面为非线性的。

20.如权利要求15所述的基板处理设备，其中所述基板支撑件耦接至延伸穿过所述第一拱形结构的轴。