[发明专利]地枇杷的快速培养方法在审

专利信息
申请号: 201710618748.1 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN107372107A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 杨洋 申请(专利权)人: 兰溪市顺光园艺技术有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 代理人: 李静
地址: 321100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 枇杷 快速 培养 方法
【权利要求书】:

1.地枇杷的快速培养方法,包括种子无菌萌发、诱导愈伤组织、生根培养,其特征在于:所述生根培养步骤为:将小苗剪下,转接到生根培养液中,培养得到的地枇杷苗即可进行炼苗,然后移栽。

2.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述生根培养步骤中生根培养液的成分及其重量份为:生根培养液的成分及其重量份为IBA 0.002-0.003份、6-BA 0.0003-0.0005份、抑菌剂0.0001-0.0002份、硝酸钾1.1-1.3份、硝酸铵1-1.2份、硫酸镁0.17-0.2份、磷酸氢二钾0.08-0.1份、氯化钙0.2-0.3份、微量元素0.15-0.2份、维生素C 0.001-0.002份、维生素B 0.001-0.002份、氨基酸0.002-0.003份、柠檬酸0.0005-0.0008份、活性炭0.2-0.3份、水950-1050份。

3.根据权利要求2所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述生根培养步骤中抑菌剂为五味子提取物和活性多肽,其重量比为1:0.4-0.6,活性多肽的氨基酸序列为HSHRCYCRCRVLHPGCVNCYRCSR。

4.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述生根培养步骤中培养条件为:温度为22-28℃、每天光照8-10h。

5.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述生根培养步骤中地枇杷苗的主根为3-5条,根长3-5cm时即可进行炼苗。

6.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述芽预处理步骤中地枇杷芽先后用浓度为0.08-0.12%的汞溶液消毒7-10min、70-80%的酒精消毒30-40s。

7.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述诱导愈伤组织步骤中MS培养基含有1-2mg/L 6-BA和0.2-0.5mg/L NAA。

8.根据权利要求1所述的地枇杷的快速培养方法,其特征在于:所述诱导愈伤组织步骤中培养条件为:温度为22-28℃、每天光照8-10h,培养至得到高度为2-4cm的地枇杷小苗。

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