[发明专利]一种冷却装置

说明书

技术领域

本发明涉及冷却设备技术领域，尤其涉及一种冷却装置。

背景技术

高纯氧化镁主要包括：硅钢级氧化镁、医药级氧化镁、化学法阻燃级氧化镁等。高纯度氧化镁具有非常重要的作用，例如在取向硅钢片生产工艺的高温退火过程中，通过添加高纯度氧化镁，一方面防止了硅钢片在高温下烧结，另一方面与硅钢片表面的SiO₂在高温条件下形成镁橄榄石被膜绝缘涂层以提高硅钢片的质量。用于生产取向硅钢片的氧化镁称为“硅钢级氧化镁”。目前，中国工业对硅钢级氧化镁的需求量很大。

高纯度氧化镁是以菱镁矿、轻烧粉、水镁石、蛇纹石等为原料，经过在煅烧炉中层层煅烧提炼而成，传统的高纯度氧化镁主要利用回转窑生产，不仅能耗高，且由于回转窑物料填充率低，窑内热量分布不均，所生产的高纯度氧化镁的产品质量难以控制，不能满足硅钢片的生产要求，造成我国约70％～80％的“硅钢级氧化镁”需要进口。如今利用多段耙式煅烧炉，每个煅烧床层的温度可独立精确控制，物料填充率高，烟气与物料的气固相接触面大，受热均匀稳定，可在煅烧炉膛内形成均匀的温度空间分布，从而可获得高质量的“硅钢级氧化镁”。

但是，无论是通过回转窑炉还是多段耙式煅烧炉制备高纯度氧化镁，经过高温煅烧后的氧化镁温度可达几百度，不能立即进行回收利用，需要对其进行冷却处理。现有技术中，对高温煅烧后的氧化镁的冷却速度较慢，在利用冷风冷却高纯度氧化镁的过程中会使高纯度氧化镁发生杂乱纷飞的现象，影响高纯度氧化镁的回收率。

有鉴于此，有必要对现有技术中的冷却装置予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于公一种冷却装置，用以使煅烧后的物料在下落过程中能集聚到一处防止其发生杂乱纷飞的现象，并且能够增加煅烧后的物料与冷风的接触面积和接触频率，提高煅烧后的物料的冷却速度和回收率。

为实现上述目的，本发明提供了一种冷却装置，包括罩体以及位于罩体底部的冷却帘，所述罩体和冷却帘共同形成纵向贯通的落料通孔；还包括部分容置于冷却帘中且呈上下布置的第一喷嘴和第二喷嘴；所述第一喷嘴由第一送风筒以及与第一送风筒连通的第一喷头构成，所述第一喷头与冷却帘纵长延伸方向呈平行布置；所述第二喷嘴由第二送风筒以及与第二送风筒连通的第二喷头构成，所述第二喷头与冷却帘纵长延伸方向呈一定夹角布置，所述第一喷头与第二喷头均位于落料通孔内；还包括与第一喷嘴和第二喷嘴连通的冷风供应装置。

在一些实施方式中，所述第一喷嘴内设有若干个送风通道，所述送风通道沿第一送风筒至第一喷头方向呈渐窄。

在一些实施方式中，所述第二喷嘴内设有若干个送风通道，所述送风通道沿第二送风筒至第二喷头方向呈渐窄。

在一些实施方式中，所述送风通道的横截面呈圆形、椭圆形或者多边形。

在一些实施方式中，所述冷风供应装置包括通过管道依次连通的冷风发生室、电磁阀以及鼓风机，所述鼓风机通过管道分别与第一送风筒和第二送风筒连通。

在一些实施方式中，还包括控制电磁阀和鼓风机工作的控制器。

在一些实施方式中，所述第二喷头与冷却帘纵长延伸方向的夹角为30°-90°。

在一些实施方式中，所述罩体呈碗状且上宽下窄。

在一些实施方式中，所述第一喷嘴的个数为四个且间隔均匀分布在同一

水平面上。

在一些实施方式中，所述第二喷嘴的个数为四个且间隔均匀分布在同一水平面上。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过设置部分容置于冷却帘中且呈上下布置的第一喷嘴和第二喷嘴，使第一喷嘴的第一喷头与冷却帘纵长延伸方向呈平行布置，使第二喷嘴的第二喷头与冷却帘纵长延伸方向呈一定夹角布置，从而使煅烧后的物料在下落过程中能集聚到一处防止其发生杂乱纷飞的现象，并且能够增加煅烧后的物料与冷风的接触面积和接触频率，提高了煅烧后的物料的冷却速度和回收率。

附图说明

图1为本发明所示的冷却装置处于应用时的结构示意图；

图2为图1中所示的冷却帘的结构示意图；

图3为沿图2中A-A线的剖视图；

图4为图3中所示的第一喷嘴的轴向剖视图；

图5为图3中所示的第二喷嘴的轴向剖视图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。