[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；

所述衬底上具有层间介质层，所述层间介质层的高度高于所述鳍部顶部表面；

所述鳍部的部分表面暴露并在所述层间介质层内形成有开口；

所述开口的底部和侧壁表面具有栅介质层；

在所述栅介质层以上形成化学机械研磨停止层；

在所述化学机械研磨停止层以上形成金属层，所述金属层填充满所述开口且所述金属层顶部高于所述层间介质层顶部。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述金属层，直至暴露出所述化学机械研磨停止层；然后，采用干法刻蚀工艺刻蚀处理直至露出栅介质层。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨停止层形成之前，在栅介质层上形成功函数金属层。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨停止层的材料为钴、铝或铜。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨停止层的厚度为20-300A。

6.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述功函数金属层的厚度为15-100A。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述化学机械研磨停止层的工艺为原子层沉积工艺。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属层为钨金属层。

9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层包括高K栅介质层和盖帽层一。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述开口由包含伪栅电极层的伪栅结构去除伪栅电极层后形成。

11.根据权利要求10所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅电极层材料为多晶硅。

12.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述晶体管为P型鳍式场效应晶体管，所述功函数金属层为P型功函数金属层。

13.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述晶体管为N型鳍式场效应晶体管，所述功函数金属层为N型功函数金属层。

14.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，干法刻蚀工艺刻蚀处理后，形成盖帽层二，平坦化盖帽层二。

15.根据权利要求9或14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，所述盖帽层一或盖帽层二为氮化硅层。

16.根据权利要求14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。

17.根据权利要求14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，干法刻蚀工艺刻蚀处理的同时，去除所述开口内的部分金属层和功函数金属层形成凹进。