[发明专利]一种GPP玻钝工艺方法

权利要求书

1.一种GPP玻钝工艺方法，步骤包括：S1、印刷保护层：便于在后续沟槽腐蚀时对硅片无需腐蚀部分进行保护；S2、沟槽开槽：对硅片进行开槽处理，使开槽程度达到GPP芯片的要求；S3、LPCVD-poly：槽内进行Poly生长，使电参数更稳定；S4、印刷钝化层：采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化，所述印刷钝化层采用丝网印刷；S5、烧成：经过高温将所述钝化层中玻璃粉固化，最终达到钝化的效果；所述印刷钝化层的步骤依次包括一次印刷、烘干、二次印刷、烘干。

2.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述S1印刷保护层的步骤依次包括上片、打标面识别、翻转硅片、硅片双面印保护层和烘烤。

3.根据权利要求2所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述上片工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。

4.根据权利要求2所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述硅片双面印保护层的步骤依次包括：反面印保护层、烘干、翻面、正面印保护层和烘干；所述反面印保护层步骤和所述正面印保护层步骤的顺序可以互换。

5.根据权利要求4所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述翻面工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。

6.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述S2沟槽开槽包括初步的激光开槽和进一步的腐蚀开槽。

7.根据权利要求6所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述沟槽开槽的步骤依次包括：激光开槽、腐蚀开槽、去除表面保护层、清洗、烘干。

8.根据权利要求7所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述腐蚀开槽为酸腐蚀；所述腐蚀开槽的步骤包括酸腐蚀和酸清洗。

9.根据权利要求7所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述去除表面保护层为碱去除；所述去除表面保护层的步骤包括碱去除保护层和碱清洗。

10.根据权利要求7所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述清洗包括酸碱清洗和两级超声清洗；所述酸碱清洗包括酸剂清洗和碱剂清洗，所述酸剂清洗和所述碱剂清洗后均进行一次纯水清洗。

11.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述LPCVD-poly的步骤依次包括：入炉、Poly生长、出炉。

12.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述一次印刷前设有外观检查工位和周转缓冲站。

13.根据权利要求1所述GPP玻钝工艺方法，其特征在于：所述印刷保护层和所述印刷钝化层的步骤中，在印刷台前均设有定位装置，用于定位硅片，使所述硅片与印刷模具位置对应。