[发明专利]一种反应除杂提纯氯硅烷的工艺在审
| 申请号： | 201710615260.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109292780A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吕磊;马军;周舟;郄丽曼 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氯硅烷 除杂反应器 除杂提纯 汽化 无机盐 反应器设备 物理吸附法 除杂处理 环境友好 活性物质 运行成本 精馏塔 磷杂质 氧化性 提纯 除杂 去除 脱除 填充 简易 投资 | ||
1.一种反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，包括将液相或汽化后的氯硅烷首先通入除杂反应器，经过反应除杂处理，处理后的物料再通入精馏塔去除重组分，得到提纯后的氯硅烷；
其中，所述的除杂反应器内填充氧化性无机盐。
2.根据权利要求1所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述氧化性无机盐为高锰酸盐、氯酸盐、次氯酸盐、过氧化盐、重铬酸盐中的任意一种或多种。
3.根据权利要求2所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述氧化性无机盐为高锰酸盐。
4.根据权利要求1所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述除杂反应器内的反应温度控制在-70℃至300℃。
5.根据权利要求4所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述除杂反应器内的反应温度控制在-40℃至220℃。
6.根据权利要求1或2或3所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述氧化性无机盐负载在载体表面，所述载体选自多孔硅酸盐、活性炭、多孔碳、硅藻土、氧化铝、浮石、空心玻璃球、多孔陶瓷中的任意一种或多种，所述负载的方式为浸渍法。
7.根据权利要求6所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述载体为多孔硅酸盐。
8.根据权利要求1所述反应除杂提纯氯硅烷的工艺，其特征在于，所述的氯硅烷为三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅或六氯乙硅烷。
9.权利要求1所述的反应除杂提纯氯硅烷的工艺中使用的装置系统，包括至少一个除杂反应器和至少一个精馏塔，除杂反应器和精馏塔以串联方式相连接。
10.根据权利要求9所述的装置系统，其特征在于，所述除杂反应器为固定床式反应器，其形状为筒状、管状或列管状。
11.根据权利要求9所述的装置系统，其特征在于，所述除杂反应器内部设置有过滤和压紧装置，把氧化性无机盐颗粒固定在反应器内。
12.根据权利要求9所述的装置系统，其特征在于，所述精馏塔选自筛板塔、填料塔、或者隔板塔。
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