[发明专利]一种清洗剂、其制备方法和应用有效
申请号: | 201710613213.5 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107338116B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 王溯;蒋闯;冯强强 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C11D1/22 | 分类号: | C11D1/22;C11D1/66;C11D3/04;C11D3/26;C11D3/28;C11D3/34;C11D3/39;C11D3/60 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;袁红 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀抑制剂 清洗剂 制备方法和应用 质量分数 制备 清洗 半导体芯片 苯并三氮唑 表面活性剂 含碘氧化剂 金属离子 原料混合 吡咯烷酮 蚀刻剂 溶剂 灰化 刻蚀 硫代 应用 | ||
1.一种清洗剂的制备方法,其特征在于,其包括下列步骤:将下述原料混合,即可;所述的原料包含下列质量分数的组分:0.5%-20%的含碘氧化剂、0.5%-20%的含硼蚀刻剂、1%-50%的吡咯烷酮类溶剂、1%-20%的腐蚀抑制剂、0.01%-5%的不含金属离子的表面活性剂,和水,各组分质量分数之和为100%;所述清洗剂的pH值为7.5-13.5;所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种;所述的不含金属离子的表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮和/或十二烷基苯磺酸。
2.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,
所述的含碘氧化剂的质量分数为1%-10%;
和/或,所述的含硼蚀刻剂的质量分数为1%-10%;
和/或,所述的吡咯烷酮类溶剂的质量分数为5%-35%;
和/或,所述的腐蚀抑制剂的质量分数为3%-15%;
和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.1%-4%;
和/或,所述清洗剂的pH值为8-12。
3.如权利要求2所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,
所述的含碘氧化剂的质量分数为1.5%-5%;
和/或,所述的含硼蚀刻剂的质量分数为1.5%-5%;
和/或,所述的吡咯烷酮类溶剂的质量分数为10%-30%;
和/或,所述的腐蚀抑制剂的质量分数为5%-10%;
和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.2%-3%;
和/或,所述清洗剂的pH值为9-11。
4.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,
所述苯并三氮唑类腐蚀抑制剂为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑中的一种或多种;
和/或,所述腙类腐蚀抑制剂为苯乙酮苯腙;
和/或,所述硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂为二苯基硫代卡巴腙。
5.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,所述的含碘氧化剂为碘酸、碘酸盐、过碘酸和过碘酸盐中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,
所述的碘酸盐为碘酸铵和/或碘酸四甲铵;
和/或,所述的过碘酸盐为过碘酸铵和/或过碘酸四甲铵。
7.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,所述的含硼蚀刻剂为四氟硼酸、四氟硼酸铵、四氟硼酸四甲铵、四氟硼酸四乙铵、四氟硼酸四丙铵和四氟硼酸四丁铵中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,所述的吡咯烷酮类溶剂为N上的氢被取代的吡咯烷酮类溶剂。
9.如权利要求8所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,所述的N上的氢被取代的吡咯烷酮类溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种。
10.如权利要求1-9任一项所述的清洗剂的制备方法,其特征在于,所述的清洗剂,其由下述原料制得,所述的原料组分由所述的含碘氧化剂、所述的含硼蚀刻剂、所述的吡咯烷酮类溶剂、所述的腐蚀抑制剂、所述的不含金属离子的表面活性剂和所述的水组成。
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