[发明专利]一种离子注入剂量自动控制方法及系统

说明书

本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子注入剂量自动控制方法及系统。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了改善产品的良率，通常会根据前层的工艺数据来调整当前层的离子注入剂量，例如根据前层的介质氮化硅膜的厚度，或者多晶硅栅极线宽的大小等来调整轻掺杂漏极离子注入剂量的多少。

现有技术中针对离子注入剂量进行控制的实现方式主要有以下两种：

一种是根据前层制造工艺对注入剂量的敏感性，设定前层工艺数据对应注入程式的调整区间，在两道或者多道前层工艺均对注入剂量有影响的情况下，注入程式的调整区间会呈现矩阵式，非常复杂。该方法执行的示意图如图1所示。

另一种是根据前层制造工艺对注入剂量的敏感系数，设定剂量调整的线性公式。注入设备根据公式计算出目标剂量并对产品进行工艺加工。这种方法直接在注入工艺的过程中修改设备的注入剂量，存在一定程度的危险性，降低了半导体制造工艺的稳定性。该方法执行的示意图如图2所示。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种离子注入剂量自动控制方法及系统的技术方案，旨在简化离子注入剂量控制的复杂度，并且保证注入剂量调整的稳定性和安全性，提高了离子注入剂量控制的易用性。

上述技术方案具体包括：

一种离子注入剂量自动控制方法，适用于半导体制造工艺中，所述半导体制造工艺中包括多层的制造工序；其中，针对每层的所述制造工序分别预先设定一标准注入剂量；

针对每层的所述制造工序，预先设定多个计算剂量范围，以及针对每个所述计算剂量范围分别预先设定一离子注入程式；

针对需要进行离子剂量注入自动控制的当前层的所述制造工序的所述离子注入剂量自动控制方法具体包括：

步骤S1，预先定义需要进行离子注入剂量自动控制的注入工艺层次、该注入工艺层次的相关特定前层制造工序、相关特定前层所述制造工序对离子注入剂量的影响参数；

步骤S2，根据关联于所述当前层的所有所述影响参数以及所述当前层的所述制造工序对应的所述注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；

步骤S3，将当前层的所述目标注入剂量与预设的所述目标剂量范围进行比较，以确定与所述目标注入剂量相匹配的所述目标剂量范围；

步骤S4，选择与被确定的所述目标剂量范围相对应的所述离子注入程式，并根据被选择的所述离子注入程式确定当前层的所述制造工序中的离子注入剂量。

优选的，该离子注入剂量自动控制方法，其中，所述步骤S1中，依据下述公式分别获取每一层的所述制造工序的所述影响参数；

A_n＝a_n*(S'_n-S_n)；

其中，

A_n用于表示所述影响参数，下标n用于表示所述制造工序对应层的序号；