[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层侧壁到相邻栅极结构侧壁的最小距离为第一距离；

在所述栅极结构两侧的第一源漏掺杂层表面形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层侧壁到相邻栅极结构侧壁的最小距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；

形成所述第一源漏掺杂层之前，还包括：形成覆盖所述栅极结构侧壁的第一侧墙；所述第一源漏掺杂层位于所述第一侧墙两侧；

形成所述第二源漏掺杂层之前，还包括：在所述第一源漏掺杂层上形成覆盖所述第一侧墙的第二侧墙，所述第二源漏掺杂层位于所述第二侧墙两侧。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的衬底表面。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：以所述栅极结构和第一侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的衬底表面形成第一外延层；对所述第一外延层进行第一掺杂，形成所述第一源漏掺杂层；

形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：以所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙为掩膜，在所述第二侧墙两侧的第一源漏掺杂层表面形成第二外延层；对所述第二外延层进行第二掺杂，形成所述第二源漏掺杂层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层进行退火处理。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的衬底中。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：以所述栅极结构和第一侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成第一外延层；对所述第一外延层进行第一掺杂，形成第一源漏掺杂层；形成所述第二源漏掺杂层的步骤包括：以所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙为掩膜，在所述第二侧墙两侧的第一源漏掺杂层表面形成第二外延层；对所述第二外延层进行第二掺杂，形成所述第二源漏掺杂层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为2nm～10nm；所述第二侧墙的厚度为3nm～15nm。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或碳氮化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂层顶部表面高于所述衬底表面。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层的厚度为2nm～12nm；所述第二源漏掺杂层顶部到所述第一源漏掺杂层顶部表面的距离为8nm～18nm。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅；所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层中具有掺杂源；

所述第一源漏掺杂层的材料包括硅锗，所述第一源漏掺杂层中的掺杂源包括硼原子、硼离子或BF₂⁺离子；或者，所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层的材料包括碳化硅，所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层的掺杂源包括磷原子、砷原子、磷离子或砷离子。