[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域；

在所述衬底第一区域形成第一外延层；

在所述衬底第二区域形成第二外延层；

对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀，增加所述第一外延层和第二外延层之间间距。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一外延层位于所述第一区域衬底表面或所述第一区域衬底中；所述第二外延层位于所述第二区域衬底表面或所述第二区域衬底中。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和分别位于所述第一区域和第二区域基底上的鳍部；

所述第一外延层位于所述第一区域鳍部中或第一区域鳍部表面；

所述第二外延层位于所述第二区域鳍部中或第二区域鳍部表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一外延层的材料为硅、硅锗或碳化硅；所述第二外延层的材料为硅、硅锗或碳化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于所述基底上的鳍部，所述鳍部顶部表面为(100)晶面；或者，所述衬底为平面衬底，所述衬底表面为(100)晶面。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域用于形成MOS晶体管，所述第二区域用于形成MOS晶体管。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀的工艺包括：各向同性干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺；

所述各向同性干法刻蚀的刻蚀气体包括：Cl₂、HCl和HBr中的一种或多种组合。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性干法刻蚀的刻蚀气体还包括：Ar、N₂、O₂、H₂、SiH₄、Si₂H₆、GeH₄和Ge₂H₆中的一种或多种组合。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀的工艺参数包括：所述刻蚀气体的流量为50sccm～1000sccm；偏置功率为0W～1200W；刻蚀温度为600℃～1000℃。

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括：H₂O₂溶液、HF溶液、NH₄OH溶液、NaOH溶液、KOH溶液、HCl溶液和NH₄F溶液中的一种或多种组合。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀之后，去除的所述第一外延层和第二外延层的厚度大于0nm小于等于30nm。

13.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀之后，还包括：在所述第一外延层顶部表面形成第一附加层；在所述第二外延层顶部表面形成第二附加层。