[发明专利]鳍式晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一区，所述第一区衬底上具有第一鳍部；

形成覆盖所述第一鳍部侧壁和顶部表面的栅氧层；

在所述栅氧层的表面形成第一保护层；

在所述衬底上形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述第一保护层和所述第一鳍部；

回刻蚀所述初始隔离层，形成暴露出部分第一保护层的隔离层；

形成所述隔离层之后，去除暴露出的第一保护层，并暴露出部分栅氧层；

在暴露出的所述栅氧层上形成第二保护层。

2.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料包括氧化硅、碳氧化硅、碳氮氧化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的形成工艺包括流体化学气相沉积。

4.如权利要求3所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述流体化学气相沉积的工艺步骤包括：在所述衬底上形成含硅的前驱体，所述含硅的前驱体覆盖所述第一保护层和所述第一鳍部；对所述含硅的前驱体进行氧化处理形成初始隔离材料膜；对所述初始隔离材料膜进行第一退火处理。

5.如权利要求4所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为600℃～1100℃。

6.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述隔离层暴露出的第一保护层之后，形成横跨所述第一鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构位于部分隔离层上，且覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部。

7.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度为10埃～20埃。

8.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括含氮层。

9.如权利要求8所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述含氮层包括氮氧化硅。

10.如权利要求8所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，从所述第二保护层表面至所述栅氧层的表面，氮离子的质量百分比含量逐渐减少。

11.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的形成工艺包括沉积工艺或氮化工艺。

12.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：对所述第二保护层进行第二退火处理。

13.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氮硅的化合物。

14.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为30埃～100埃。

15.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底还具有第二区，所述第二区衬底上具有第二鳍部；所述栅氧层还覆盖所述第二鳍部的侧壁和顶部表面；所述初始隔离层还覆盖所述第二鳍部。

16.如权利要求15所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的数量大于1个，且相邻第一鳍部的侧壁之间的距离为第一距离；所述第二鳍部的侧壁到相邻第一鳍部侧壁之间的距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。