[发明专利]用于表面贴装技术的发光二极管模块及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710610869.1 申请日: 2013-06-24
公开(公告)号: CN107275456B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金贤儿 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/20;H01L33/62;H01L33/32;H01L33/44
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 包国菊;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 表面 技术 发光二极管 模块 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管模块,其包括:

发光二极管,所述发光二极管具有堆叠结构,所述堆叠结构包括形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和导电图案,所述堆叠结构还包括形成为暴露第一半导体层的部分表面的台面区域;

第一绝缘层,被以图案化的形状提供在导电图案上,暴露导电图案的部分表面,以形成第一焊盘区域;

导电层,形成于第一绝缘层和暴露在台面区域内的第一半导体层上;

第二绝缘层,形成于导电层上,且设计为形成暴露部分导电层的第二焊盘区域;

第一焊盘,形成于第一焊盘区域上;和

第二焊盘,形成于第二焊盘区域上,

其中,所述第一焊盘区域通过图案化的第一绝缘层暴露部分导电图案,

其中,导电图案包括:反射金属层,形成于第二半导体层上且设计为反射光;和导电阻挡层,设计为遮蔽反射金属层且在第二半导体层上连续地延伸,

形成于反射金属层顶面上的所述导电阻挡层的厚度大于形成于所述第二半导体层的表面上的所述导电阻挡层的厚度,

形成于所述第二半导体层的表面上的所述导电阻挡层的厚度大于形成在所述反射金属层的侧面上的导电阻挡层的厚度。

2.根据权利要求1的发光二极管模块,其中暴露的导电图案的面积大于暴露的导电层的面积。

3.根据权利要求1的发光二极管模块,其中所述第一焊盘的面积大于所述第二焊盘的面积。

4.根据权利要求1的发光二极管模块,其中,当所述有源层内产生的光的波长为λ时,所述第一绝缘层的厚度为λ/4的整数倍。

5.根据权利要求1的发光二极管模块,其中所述导电图案为反射图案。

6.根据权利要求1的发光二极管模块,其中反射金属层的侧面相对于第二半导体层表面具有5°到45°的倾斜角。

7.根据权利要求1的发光二极管模块,其中,所述导电层为导电反射层。

8.一种制备发光二极管模块的方法,包括:

在衬底上相继地形成第一半导体层、有源层和第二半导体层;

刻蚀第二半导体层和有源层以形成台面区域,其暴露了第一半导体层的表面;

在台面区域上形成具有悬垂结构的光阻图案,且在穿过介于光阻图案之间的空间暴露的第二半导体层的表面上形成反射金属层;

在反射金属层上形成导电阻挡层,其中所述导电阻挡层连续地形成于所述反射金属层和所述第二半导体层的表面上,从而得到有形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和导电图案的结构,导电图案包括反射金属层和导电阻挡层;

在所述结构上覆盖第一绝缘层,所述第一绝缘层使导电图案的部分暴露以形成第一焊盘区域,并且所述第一绝缘层使设置在台面区域上的第一半导体层暴露;

在第一绝缘层上形成导电层,所述导电层将导电层与暴露的第一半导体层电连接,并使第一焊盘区域保持开放状态;

在导电层上覆盖第二绝缘层以暴露设置在第一焊盘区域内的导电图案,第二绝缘层使电连接第一半导体层的导电层的部分暴露以形成第二焊盘区域;和

在第一焊盘区域上形成第一焊盘以及在第二焊盘区域上形成第二焊盘,

其中,所述第一焊盘区域通过图案化的第一绝缘层暴露部分导电图案,

形成于反射金属层顶面上的所述导电阻挡层的厚度大于形成于所述第二半导体层的表面上的所述导电阻挡层的厚度,

形成于所述第二半导体层的表面上的所述导电阻挡层的厚度大于形成在所述反射金属层的侧面上的导电阻挡层的厚度。

9.根据权利要求8的方法,其中所述导电图案为反射图案。

10.根据权利要求8的方法,其中穿过第一焊盘区域暴露的导电图案的面积大于穿过第二焊盘区域暴露的导电层的面积。

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