[发明专利]一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种晶片支撑结构，容置并固定于预热腔室内，其特征在于，所述晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，所述第一支撑架和所述第二支撑架的外轮廓的形状与所述预热腔室内周壁的形状相同，且所述第一支撑架位于所述第二支撑架的正上方，所述第一支撑架的边缘与所述第二支撑架的边缘接触，所述第一支撑架的非边缘部分与所述第二支撑架间隙设置；其中，

所述第二支撑架的下表面与所述预热腔室的底壁贴合；并且，

所述第二支撑架呈板状；所述第一支撑架包括挡墙和板状的第一支撑部，所述挡墙位于所述第一支撑部的边缘，并朝向所述第二支撑架的方向延伸。

2.如权利要求1所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和第二支撑架的形状由半圆形和矩形拼接形成，其中，所述矩形的长边与所述半圆形的直径等长且相拼接；

所述第一支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第一开口，所述第二支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述腔室的底壁上的正投影重合。

3.如权利要求2所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的宽度大于用于与所述晶片支撑结构配合的机械手手指的宽度，且所述第一开口和所述第二开口的宽度与所述机械手手指的宽度之差为2-8mm。

4.如权利要求3所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的长度大于所述机械手手指的长度，且所述第一开口和所述第二开口的长度与所述机械手手指的长度之差为2-8mm；所述第一开口和所述第二开口的长度为所述半圆形的圆心到所述第一开口和第二开口的端部的距离。

5.如权利要求1所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架的数量为多个，各所述第一支撑架层叠设置，位于最下层的第一支撑架的挡墙的端面与所述第二支撑架的上表面边缘接触，其余的第一支撑架的挡墙的端面与位于下方相邻的第一支撑架的上表面边缘接触。

6.如权利要求5所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架在所述挡墙所在的区域，通过紧固件连接，并与所述腔室的底壁连接。

7.如权利要求1-6任一项所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架的材料为铝，且所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面具有硫酸硬质阳极氧化膜。

8.如权利要求1-6任一项所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面的粗糙度为0.8-6.3μm。

9.一种预热腔室，其特征在于，包括腔室本体和如权利要求1-8任一项所述的晶片支撑结构，所述晶片支撑结构容置并固定在所述腔室本体内。

10.如权利要求9所述的预热腔室，其特征在于，所述腔室本体的材料为铝，且所述腔室本体的内壁具有硫酸硬质阳极氧化膜。

11.一种半导体处理设备，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的预热腔室，所述腔室本体的开口处设置有用于密封所述腔室的门阀。

12.如权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括供气装置和加热装置，所述供气装置与所述腔室本体相连，用于向所述腔室本体内充入惰性气体，所述加热装置设置在所述腔室本体的底壁上，用于对所述腔室加热。

13.如权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括控制装置、抽气装置、温度检测装置和压力检测装置，所述温度检测装置和所述压力检测装置设置在所述腔室本体内，所述抽气装置与所述腔室本体相连；

所述控制装置用于，当所述温度检测装置检测到所述腔室本体内的温度达到预设温度时，开启所述抽气装置，以将所述腔室本体内的惰性气体抽出；以及，当所述压力检测装置检测到所述腔室本体内的压力达到预设压力时，开启所述门阀。