[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次叠合的基板、光吸收层、缓冲层、窗口层和上电极层，所述光吸收层位于所述基板一侧，所述缓冲层位于所述光吸收层远离所述基板的一侧，所述窗口层位于所述缓冲层远离所述光吸收层的一侧，所述上电极层位于所述窗口层远离所述缓冲层的一侧，所述薄膜太阳能电池还包括一第一凹槽和一第一绝缘块，所述第一凹槽是通过使用激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划，通过以细线形式去除所述所述光吸收层的一部分、所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图所形成的图案，所述绝缘块设置于所述第一凹槽内，太阳光从所述基板远离所述光吸收层的一侧进入所述薄膜太阳能电池。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括一第二凹槽，所述第二凹槽是通过使用刻针或激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划，通过以所述第一凹槽为参考位置偏移规定量，以细线形式去除所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图所形成的图案，所述上电极层填入所述第二凹槽内。

3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括一第三凹槽，所述第三凹槽是指通过使用刻针或激光对沉积完所述上电极层的所述基板进行刻划，通过以所述第一凹槽或所述第二凹槽为参考位置偏移规定量，以细线形式去除所述缓冲层的一部分、所述窗口层的一部分和所述上电极层的一部分来进行构图所形成的图案。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括一保护层，所述保护层设置于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧。

5.如权利要求4所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述保护层为金属氧化物或金属氮氧化物。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括一减反射膜层，所述减反膜层设置于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧。

7.一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备基板；

在基板上形成光吸收层；

在所述光吸收层远离所述基板的一侧形成缓冲层；

在所述缓冲层远离所述光吸收层的一侧形成窗口层；

通过使用激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划，通过以细线形式去除所述所述光吸收层的一部分、所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图，形成一第一凹槽；

在所述第一凹槽内设置所述绝缘块；

在所述窗口层远离所述缓冲层的一侧形成上电极层。

8.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述第一凹槽内设置所述绝缘块之后，通过使用刻针或激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划，通过以所述第一凹槽为参考位置偏移规定量，以细线形式去除所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图形成所述第二凹槽。

9.如权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在形成所述第二凹槽之后，通过使用刻针或激光对沉积完所述上电极层的所述基板进行刻划，通过以所述第一凹槽或所述第二凹槽为参考位置偏移规定量，以细线形式去除所述缓冲层的一部分、所述窗口层的一部分和所述上电极层的一部分来进行构图形成所述第三凹槽。

10.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述窗口层远离所述缓冲层的一侧形成所述上电极层之后，于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧形成一保护层，于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧形成一减反射膜层。