[发明专利]光电协同表面等离激元-激子催化反应器件及制备方法有效
| 申请号： | 201710609332.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107328754B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 孙萌涛;曹恩;林炜铧 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B01J19/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 协同 表面 离激元 激子 催化 反应 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电协同表面等离激元-激子催化反应器件，其特征在于：包括硅片、二维半导体材料（4）、源极/漏极（2）和入射激光（1），硅片上覆盖贵金属纳米颗粒，贵金属纳米颗粒上覆盖二维半导体材料（4），源极/漏极（2）位于二维半导体材料（4）上，硅片置于底座上，底座底部引入门电压；
所述源极/漏极（2）的两电极尺寸和间隙能够调节，目标分子（3）位于两电极之间，所述贵金属纳米颗粒厚度为1-100nm。
2.根据权利要求1所述的光电协同表面等离激元-激子催化反应器件，其特征在于：所述硅片包括SiO2层（6）和Si层（7），其中，Si层（7）上覆盖SiO2层（6）。
3.根据权利要求1所述的光电协同表面等离激元-激子催化反应器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：在二氧化硅或单晶硅的硅片上热蒸发贵金属纳米颗粒，得到贵金属纳米材料基底；
S2：将二维半导体材料转移到S1中制得的贵金属纳米颗粒基底上，并进行清洗保证表面清洁；
S3：将金/铬纳米颗粒通过热蒸发的方式按照先铬后金的顺序蒸发到S2中制得的二维半导体材料与金属纳米颗粒复合基底上作为源极/漏极；
S4：利用底座在S3中制成的器件底部引入门电压。
4.根据权利要求3所述的光电协同表面等离激元-激子催化反应器件制备方法，其特征在于：所述S3中铬的厚度为5nm，金的厚度为80-100nm。
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