[发明专利]IVA族官能化粒子及其使用方法

权利要求书

1.一种经一非介电层钝化的IVA族粒子，该非介电层共价键结至该IVA族粒子且覆盖该IVA族粒子的一表面的至少一部分，其中该IVA族粒子来源于冶金级硅、硅晶圆、或硅晶圆制造时的裁切；其中该非介电层来源于选自由下列组成的群组的一化合物：烯烃、炔烃、芳香族化合物、杂芳香族化合物、环烯烃、醇类、硫醇、二硫化物、胺类、酰胺、吡啶、吡咯、呋喃、噻吩、氰酸酯、异氰酸酯、异硫氰酸酯、酮类、羧酸、胺基酸、及醛类。

2.如权利要求1所述的IVA族粒子，其中该非介电层来源于选自由下列组成的群组的一化合物：甲苯、苯、多环芳烃、富勒烯(fullerene)、金属富勒烯(metallofullerene)、苯乙烯、环辛四烯(cyclooctatetraene)、降冰片二烯(norbornadiene)、一级烯烃(primary alkene)、一级炔烃(primary alkyne)、饱和或不饱和脂肪酸、肽、蛋白质、酶、2,3,6,7-四羟基蒽(2,3,6,7-tetrahydroxyanthracene)、及对苯二甲醛(terephthalaldehyde)。

3.如权利要求1所述的IVA族粒子，其特征在于，该非介电层来源于二醇类。

4.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该非介电层具有能够与其它试剂形成共价键的官能基。

5.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子在室温下于空气中是对氧化稳定的。

6.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该粒子是25微米以下。

7.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该粒子是1微米以下。

8.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该粒子是0.1微米以下。

9.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该粒子是0.05微米以下。

10.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子包含锗。

11.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子包含锡。

12.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该硅晶圆是一p型硅晶圆。

13.如权利要求12所述的IVA族粒子，其中该p型硅晶圆具有0.001至100欧姆/平方厘米的一测量电阻率。

14.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该硅晶圆是一n型硅晶圆。

15.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一锂离子电池组中的一阳极的一部分。

16.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一光伏打膜的一部分。

17.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一生物感测器的一部分。

18.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一能量储存装置的一部分。

19.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一热电膜的一部分。

20.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其中该IVA族粒子是一半导体装置的一部分。

21.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其借由包含下列步骤的工艺制备：

a)用一质子酸处理一IVA族粒子以提供一经氢钝化的IVA族粒子；及

b)用一化合物处理该经氢钝化的IVA族粒子以提供于该IVA族粒子的一表面的至少一部分上经共价键结至该IVA族粒子的非介电层钝化的一IVA族粒子。

22.如权利要求1或2所述的IVA族粒子，其借由包含下列步骤的工艺制备：

a)用一质子酸处理一IVA族粒子以提供一经氢钝化的IVA族粒子；

b)用苯处理该经氢钝化的IVA族粒子以获得一经苯钝化的IVA族粒子；及

c)用一化合物处理该经苯钝化的IVA族粒子以提供在室温下于空气中对氧化稳定的一经钝化IVA族粒子。