[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括:

于一半导体基板上形成一堆迭结构，包括一底层、一设置于该底层上的中间层以及一设置于该中间层上的一第一罩幕层，其中该中间层包括一设置于该底层上的一第一盖层、一设置于该第一盖层上的一中介层以及一设置于该中介层上的一第二盖层；

使用一第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化该第一罩幕层；

使用该图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化该第二盖层；

形成一第二罩幕层于该图案化的第二盖层上，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第一罩幕层而被图案化；

使用一第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化该第二罩幕层；

使用该图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化该第二盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第一罩幕层而被图案化；

使用该图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化该中介层及该第一盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第二罩幕层而被图案化；

形成一第三罩幕层于该图案化的第二盖层上，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第二罩幕层而被图案化；

使用形成于该第三罩幕层上的一第三抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化该第三罩幕层；

使用该图案化的第三罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化该图案化的第二盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第二罩幕层而被图案化；

使用该图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化该中介层及该第一盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第三罩幕层而被图案化；

使用该图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化该底层；以及

形成一块状间隔物层于该图案化的中介层及该图案化的该第一盖层中，并形成一侧壁间隔物于该图案化的中介层及该图案化的第一盖层的侧壁上，

其中该第一抗蚀图案及该第二抗蚀图案互相交错延伸且具有一开口重叠部分，该第二抗蚀图案的一开口图案的一部分与该第一抗蚀图案的一开口图案的一部分重叠于该开口重叠部分，

其中该第一抗蚀图案及该第三抗蚀图案具有一第二开口重叠部分，该第三抗蚀图案的一开口图案的一部分与该第一抗蚀图案的该开口图案的一部分重叠于该第二开口重叠部分，且该第二抗蚀图案及该第三抗蚀图案具有一第三开口重叠部分，该第二抗蚀图案的该开口图案的一部分与该第三抗蚀图案的该开口图案的一部分重叠于该第三开口重叠部分。

2.如权利要求1所述之半导体装置的形成方法，其中在图案化该第二盖层之后，该中介层于该开口重叠部分被部分地蚀刻。

3.如权利要求1所述之半导体装置的形成方法，其中该中介层由非晶的或多晶半导体材料形成。

4.如权利要求3所述之半导体装置的形成方法，其中该第一盖层包含氧化硅系列的材料，且该第二盖层包含与该第一盖层不同的氮化物系列的材料或碳化物系列的材料。

5.如权利要求3所述之半导体装置的形成方法，其中该第二盖层包含氧化硅系列的材料，且该第一盖层包含与该第二盖层不同的氮化物系列的材料或碳化物系列的材料。

6.如权利要求1所述之半导体装置的形成方法，其中该底层形成于一第一层间介电层上，其中该第一层间介电层设置于形成于该半导体基板上的一下方结构之上，且该底层包含一氮化硅系列的介电层、一第一衬层、一第二层间介电层、一第二衬层以及一氮化物层。

7.如权利要求6所述之半导体装置的形成方法，其中图案化该底层的步骤包含使用该图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化该氮化物层，以及使用该图案化的第二盖层及该氮化物层作为蚀刻罩幕以图案化该第二衬层、该第二层间介电层、该第一衬层及该氮化硅系列的介电层。

8.如权利要求6所述之半导体装置的形成方法，其中经由图案化该底层以形成延伸至该第一层间介电层的一或多个开口，以及于该一或多个开口中形成一导电材料。

9.如权利要求1所述之半导体装置的形成方法，其中该第一罩幕层及该第二罩幕层的任一者包含一下方罩幕层以及由不同于该下方罩幕层的材料所形成的一上方罩幕层。