[发明专利]一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710606823.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107197598A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘兆;贺永宁;毛建国;李建凤;倪文波 | 申请（专利权）人： | 泰州市博泰电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/02 | 分类号： | H05K3/02;H05K1/03;H05K1/09;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400 | 代理人： | 高之波,倪金磊 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pim 性能 微波 高频 复合 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制作微波高频陶瓷绝缘介质材料层：采用聚四氟乙烯粉末和低温共烧陶瓷粉末按一定比例结合介质层厚度要求进行混合，经球磨机球磨一段时间形成基板介质材料，然后将基板介质材料置于模具中经高温压合形成基板介质材料层；
S2、制作低PIM陶瓷粘结片：选取低温陶瓷片放入聚四氟乙烯分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后高温烧结后制得陶瓷粘结片；
S3、制作低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板：选取亚光铜箔层，绝缘介质材料层，低PIM陶瓷粘结片，将亚光铜箔分别设置在绝缘介质材料层的上方和下方，中间用低PIM陶瓷粘结片间隔并粘结，最后经高温环境带压加工压制成型。
2.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中聚四氟乙烯粉末和低温共烧陶瓷粉末的比例为6:1-1:3。
3.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述球磨机球磨时间为25-35h。
4.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述高温压合成形的温度为300～320℃。
5.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述低温陶瓷片的厚度小于8.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中高温烧结温度为300～320℃。
7.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的所述的亚光铜箔表面粗糙度小于0.1μm，厚度为35μm-280μm。
8.根据权利要求1所述的一种低PIM高性能微波高频复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3的高温环境为310±10℃。
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