[发明专利]实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法在审
| 申请号： | 201710606819.6 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109302559A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;胡佳 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/232 | 分类号： | H04N5/232;H04N5/374;H04N9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素结构 像素合成 像素单元 对焦 组块 快速对焦 相位信息 遮挡 图像传感器像素 智能便携设备 彩色滤光膜 对焦状态 高感光度 获取信号 位置一致 应用需求 遮挡区域 比对 拍照 保证 | ||
1.一种实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于：
提供具有相同彩色滤光膜的四像素结构；所述相邻的4个四像素结构为一组块；所述若干组块组成图像传感器像素阵列；
对若干组块中对应的四像素结构中的至少两个像素单元进行部分遮挡,同一四像素结构内像素单元的遮挡区域位置一致；
在像素合成模式下，基于若干的所述四像素结构中至少两个像素单元的部分遮挡，获取信号信息并提取相应的相位信息，将对焦状态与所述相位信息进行比对，实现四像素结构的像素合成模式下的快速对焦。
2.根据权利要求1所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，对若干组块中对应的四像素结构中的全部四个像素单元均进行部分遮挡。
3.根据权利要求1所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，所述若干组块中，若干第一组块中四像素结构的至少两个像素单元的遮挡区域与若干第二组块中四像素结构的至少两个像素单元的遮挡区域部分或完全互补。
4.根据权利要求1所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，所述至少两个像素单元的遮挡区域的比例占像素单元面积的30%至70%。
5.根据权利要求1所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，进行遮挡的四像素结构的彩色滤光膜为绿色滤光膜、透明膜。
6.根据权利要求3所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，遮挡区域部分或完全互补的所述四像素结构分别为一对；对于所述一对内部，一四像素结构遮挡区域与另一四像素结构遮挡区域的横向距离小于等于4个像素单元距离，纵向距离小于等于16个像素单元距离。
7.根据权利要求3所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，遮挡区域部分或完全互补的所述四像素结构分别为一对；所述一对与另一对之间的横向距离小于等于64个像素单元距离，纵向距离小于等于64个像素单元距离。
8.根据权利要求3所述的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法，其特征在于，遮挡区域部分或完全互补的所述四像素结构分别为一对；所述的至少一对四像素结构组成重复单元，于所述像素阵列中布设若干所述重复单元。
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