[发明专利]热处理装置有效
| 申请号： | 201710606084.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107818925B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤祯朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔炳哲;向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种热处理装置，其特征在于，通过向基板照射光来加热该基板，包括：
室，容纳基板；
光照射部，向容纳于上述室的上述基板照射光；
气体供给部，向上述室供给规定的处理气体而在上述基板的周边形成该处理气体环境；
辐射温度计，接收从上述基板辐射的红外光来测量上述基板的温度；
存储部，保存多个表示向上述辐射温度计入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的变换表；
控制部，根据利用上述气体供给部形成于上述室内的处理气体环境，从多个上述变换表中选择上述辐射温度计所使用的变换表；以及
透过的波长区域不同的多个滤光片，
上述控制部根据利用上述气体供给部形成于上述室内的处理气体环境，从多个上述滤光片中选择上述辐射温度计所使用的滤光片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
