[发明专利]像素驱动单元及其形成方法、显示背板、像素驱动电路

权利要求书

1.一种像素驱动单元，其特征在于，包括：

基板，所述基板内具有第一晶体管，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或非晶氧化物薄膜晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极表面具有绝缘层；

位于所述绝缘层表面的第二有源层；

位于所述第二有源层两侧的第二源电极和第二漏电极；

所述第二源电极、第二有源层在基板表面的投影与所述第一源电极在基板表面的投影有重叠，使得部分所述第一源电极、绝缘层、第二有源层、第二漏电极、第二源电极构成第二晶体管，且所述第二晶体管为有机薄膜晶体管，部分第一源电极、第二源电极以及绝缘层构成第一电容。

2.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，所述基板还包括衬底和第一栅极绝缘层；所述第一栅电极位于部分衬底表面，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅电极和衬底，所述第一有源层、第一源电极和第一漏电极位于部分第一栅极绝缘层表面，且所述第一源电极和第一漏电极位于所述第一有源层两侧，与所述第一有源层连接；所述绝缘层覆盖所述第一有源层、第一源电极和第一漏电极。

3.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，所述基板还包括衬底、位于衬底表面的平坦层，所述第一有源层位于部分所述平坦层表面，所述第一源电极和第一漏电极位于所述第一有源层两侧，与所述第一有源层连接，所述绝缘层覆盖所述第一有源层、第一源电极、第一漏电极以及平坦层，所述第一栅电极位于所述绝缘层表面。

4.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为底栅底接触结构、底栅顶接触结构、顶栅底接触结构或顶栅顶接触结构。

5.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，所述第一晶体管为N型器件，所述第二晶体管为P型器件。

6.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，还包括覆盖所述基板、第二源电极、第二漏电极以及第二有源层的封装层，以及位于所述封装层内的通孔，所述通孔暴露所述第二漏电极的部分表面；所述基板内或基板表面还具有发光器件，所述通孔内填充有金属层，所述金属层与所述发光器件连接。

7.根据权利要求1所述的像素驱动单元，其特征在于，还包括位于所述基板内或基板上方的至少一个第三晶体管和/或至少一个第二电容。

8.一种像素驱动单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板内具有第一晶体管，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或非晶氧化物薄膜晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极表面具有绝缘层；

在所述绝缘层表面形成第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和第二漏电极之间具有开口，且所述第二源电极在基板表面的投影与所述第一源电极在基板表面的投影有重叠，使得部分第一源电极、第二源电极以及绝缘层构成第一电容；

在所述绝缘层表面形成位于所述开口内的第二有源层，且所述第二有源层在基板表面的投影与所述第一源电极在基板表面的投影有重叠，使得部分所述第一源电极、绝缘层、第二有源层、第二漏电极、第二源电极构成第二晶体管，且所述第二晶体管为有机薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的像素驱动单元的形成方法，其特征在于，所述第二源电极、第二漏电极以及第二有源层的形成方法进一步包括：在所述绝缘层表面形成电极材料层；对所述电极材料层进行图形化，形成所述第一源电极和第二漏电极，所述第二源电极和第二漏电极之间具有一开口；形成填充满所述开口且覆盖所述第二源电极、第二漏电极和绝缘层的第二有源材料层；对所述第二有源材料层进行图形化，形成所述第二有源层。

10.根据权利要求9所述的像素驱动单元的形成方法，其特征在于，形成所述第二有源材料层的方法包括热蒸发工艺、涂布工艺或喷墨工艺中的一种或几种。