[发明专利]一种SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710604397.9 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107324828B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D39/20 | 分类号： | B01D39/20;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00 |
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| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sicf sic 陶瓷 复合 过滤 及其 制备 方法 | ||
1.一种SiC
（1）将碳化硅纤维编织成管状三维织物预制体，一端盲孔，一端开孔带法兰结构，编织角为20º~40º；
（2）编织好的预制件放入化学气相真空炉内，采用乙炔为碳源，氩气为稀释气体，乙炔流量为200~300ml/min，氩气为200~300ml/min，等温化学气相渗积PyC界面层，渗积温度1000~1100℃，渗积时间为5~10h；
（3）停止沉积PyC界面层，采用三氯甲基硅烷为碳化硅气源，氢气为载气，氩气为稀释气体，等温化学气相渗积SiC界面层，渗积温度1000~1200℃，渗积时间为5~10h；
（4）交替进行步骤（2）和步骤（3）5~10次，得到(SiC/PyC)n界面层；
（5）将制备好界面层的预制件再次放入化学气相真空炉内，以三氯甲基硅烷为碳化硅气源，氢气为载体，氩气为稀释气，三氯甲硅烷流量为30~50ml/min，氢气流量为200~300ml/min，氩气流量为200~300ml/min，采用强制流动化学气相渗积（FCVI）工艺制备SiC基体，渗积时间为30~80h；
（6）降温至室温后，取出试样即得到SiC
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