[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板，用以采用形成薄膜晶体管中栅极的图形的掩膜版形成LDD区域，从而节省了制作成本。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成多晶硅膜层和栅极绝缘层；采用构图工艺在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极的图形；对具有所述栅极的图形的衬底基板进行第一次掺杂；采用形成所述栅极的图形的掩膜版在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶的图形，所述第一光刻胶的图形覆盖所述栅极的图形以及用于形成轻掺杂漏区的区域；对具有所述第一光刻胶的图形的衬底基板进行第二次掺杂，形成有源层的图形。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板。

背景技术

具有源矩阵具有机发光二极体(Active-matrix organic light emittingdiode，AMOLED)多采用PMOS管，相比于NMOS管的漏电流具有很大改善。但为了改善低灰阶不良Mura，PMOS管的特性要求将亚阈值摆幅(SS)做大，然而SS做大后导致PMOS管的漏电流增大。

若PMOS管的漏电流增大，则导致亮暗点增多，同时模组γ写入时，低灰阶亮度过高而导致无法成功写入γ。因此通过工艺改善PMOS的漏电流就显得非常重要。目前改善漏电流的方法中，最具有效的方法是增加轻掺杂漏区(LDD)工艺。

一般地，在形成AMOLED器件中的LDD区域时，需要增加一套形成LDD的掩膜版，从而增加了制作成本。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板，用以采用形成薄膜晶体管中栅极的图形的掩膜版形成LDD区域，从而节省了制作成本。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，在衬底基板上依次形成多晶硅膜层和栅极绝缘层；该方法还包括：

采用构图工艺在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极的图形；

对具有所述栅极的图形的衬底基板进行第一次掺杂；

采用形成所述栅极的图形的掩膜版在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶的图形，所述第一光刻胶的图形覆盖所述栅极的图形以及用于形成轻掺杂漏区的区域；

对具有所述第一光刻胶的图形的衬底基板进行第二次掺杂，形成有源层的图形。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，采用形成所述栅极的图形的掩膜版在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶的图形，包括：

采用形成所述栅极的图形的掩膜版，在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶层，调节对所述第一光刻胶层的曝光量，形成第一光刻胶的图形。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，采用构图工艺在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极的图形，包括：

在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极金属层；

在具有所述栅极金属层的衬底基板之上形成第二光刻胶层；

采用掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域，所述第二光刻胶完全保留区域对应用于栅极的区域；

刻蚀所述第二光刻胶完全去除区域所对应的栅极金属层，形成栅极的图形。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，采用干刻的方式刻蚀所述第二光刻胶完全去除区域所对应的栅极金属层。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，形成栅极的图形之后，该方法还包括：