[发明专利]银脑回/石墨烯/金膜三维SERS基底及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710602081.6 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN107462565B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 张超;李崇辉;满宝元;姜守振;杨诚;郁菁 申请(专利权)人: 山东师范大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 郑平
地址: 250014 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 银脑回 石墨 三维 sers 基底 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底,其特征在于,包括:

石墨烯-金纳米结构基底;

沉积在石墨烯-金纳米结构基底上的银脑回纳米结构;

其中,所述银脑回纳米结构为与人类大脑皮层的脑回与脑沟结构类似的、由纳米银构成的结构体;

所述银脑回纳米结构的宽度为10-30nm,间隙为1-10nm,厚度为2-10nm;

所述基底材料为石英、硅或柔性超薄云母片;

所述的石墨烯层数为2-10层;所述银脑回纳米结构具有超狭窄的纳米间隙和周期性。

2.一种银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底的制造方法,其特征在于,包括:

制备石墨烯-金纳米结构基底;

在石墨烯-金纳米结构基底上热蒸镀银脑回纳米结构,即得;

所述银脑回纳米结构为与人类大脑皮层的脑回与脑沟结构类似的、由纳米银构成的结构体。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述热蒸镀的具体步骤为:将石墨烯-金纳米结构基底放入热蒸镀设备中,距离钼舟15cm,在钼舟中放入0.0015g高纯银丝,密封,气压抽至5×10-3Pa,调节电流升至90A,得到银脑回纳米结构。

4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述银脑回纳米结构的宽度为10-30nm,间隙为1-10nm,厚度为2-10nm。

5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基底材料为石英、硅或柔性超薄云母片。

6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述制备石墨烯-金纳米结构基底的方法为:利用热蒸镀的方法在基底表面沉积金纳米薄膜,湿法转移化学气相沉积法生长的石墨烯。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的金纳米薄膜厚度为10-50nm。

8.如权利要求2-7任一项所述的方法制备的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底。

9.如权利要求1或权利要求8中所述的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底在食品安全检测中的应用,其中所述的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底的基底材料为柔性超薄云母片。

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