[发明专利]银脑回/石墨烯/金膜三维SERS基底及制备方法有效
申请号: | 201710602081.6 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN107462565B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 张超;李崇辉;满宝元;姜守振;杨诚;郁菁 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 郑平 |
地址: | 250014 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 银脑回 石墨 三维 sers 基底 制备 方法 | ||
1.一种银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底,其特征在于,包括:
石墨烯-金纳米结构基底;
沉积在石墨烯-金纳米结构基底上的银脑回纳米结构;
其中,所述银脑回纳米结构为与人类大脑皮层的脑回与脑沟结构类似的、由纳米银构成的结构体;
所述银脑回纳米结构的宽度为10-30nm,间隙为1-10nm,厚度为2-10nm;
所述基底材料为石英、硅或柔性超薄云母片;
所述的石墨烯层数为2-10层;所述银脑回纳米结构具有超狭窄的纳米间隙和周期性。
2.一种银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底的制造方法,其特征在于,包括:
制备石墨烯-金纳米结构基底;
在石墨烯-金纳米结构基底上热蒸镀银脑回纳米结构,即得;
所述银脑回纳米结构为与人类大脑皮层的脑回与脑沟结构类似的、由纳米银构成的结构体。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述热蒸镀的具体步骤为:将石墨烯-金纳米结构基底放入热蒸镀设备中,距离钼舟15cm,在钼舟中放入0.0015g高纯银丝,密封,气压抽至5×10-3Pa,调节电流升至90A,得到银脑回纳米结构。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述银脑回纳米结构的宽度为10-30nm,间隙为1-10nm,厚度为2-10nm。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基底材料为石英、硅或柔性超薄云母片。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述制备石墨烯-金纳米结构基底的方法为:利用热蒸镀的方法在基底表面沉积金纳米薄膜,湿法转移化学气相沉积法生长的石墨烯。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的金纳米薄膜厚度为10-50nm。
8.如权利要求2-7任一项所述的方法制备的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底。
9.如权利要求1或权利要求8中所述的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底在食品安全检测中的应用,其中所述的银脑回/石墨烯/金膜复合型三维拉曼增强基底的基底材料为柔性超薄云母片。
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