[发明专利]用于RF功率放大器封装件的集成无源器件

权利要求书

1.一种射频RF功率放大器封装件，包括：

封装件；

第一半导体管芯(4)，被布置在所述封装件内部并且设置有RF功率晶体管(5)，所述RF功率晶体管具有输出电容(Cds)并且被配置成在工作频率下放大信号；

阻抗网络，被布置在所述封装件内部并且包括：

第一电感器(L1)，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电连接至所述RF功率晶体管的输出端；

谐振单元，电连接至所述第一电感器的第二端子；

第二电容器(C2)，电连接在所述谐振单元与地之间；

其中，所述谐振单元包括第二电感器(L2)和第一电容器(C1)，所述第二电感器电连接在所述第二电容器与所述第一电感器之间，所述第一电容器具有第一端子和第二端子，所述第一电容器的第一端子电连接至所述第一电感器的第二端子，并且其中，所述谐振单元包括电阻元件；

其中，所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容；

其中，所述第一电容器的第二端子电连接至所述第二电容器；

其中，所述RF功率晶体管被配置成使用馈电电感(Lfeed)进行馈电，并且其中，所述第二电容器被配置成在小于所述工作频率的第一谐振频率下与所述馈电电感谐振；

其特征在于，所述第一电感器、所述第一电容器以及所述第二电感器被选择成使得在所述工作频率或者接近所述工作频率时：

所述第二电感器阻挡RF电流，从而使得所述RF电流的更大部分流过所述第一电容器和所述第二电容器；

由所述第一电容器和所述第一电感器的串联连接形成的有效电感具有大体上等于所述第一电感器的电感的有效电感，所述有效电感与所述输出电容谐振；

其中，所述第二电感器被配置成在第二谐振频率下与所述第一电容器谐振，其中，所述第一谐振频率小于所述第二谐振频率，并且其中，所述第二谐振频率小于所述工作频率；以及

其中，所述电阻元件被配置用于抑制第一谐振和第二谐振。

2.根据权利要求1所述的射频RF功率放大器封装件，其中，所述第一电感器和/或所述第二电感器包括集成电感器和/或接合线。

3.根据权利要求1或2所述的射频RF功率放大器封装件，其中，所述电阻元件被布置成与所述第二电感器串联，或者与所述第二电感器集成在一起。

4.根据权利要求1所述的射频RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容器和/或所述第二电容器包括集成电容器。

5.根据权利要求1所述的射频RF功率放大器封装件，其中：所述第一谐振频率位于5MHz至20MHz的范围内，所述第二谐振频率位于300MHz至650MHz的范围内，并且所述工作频率位于800MHz至3.5GHz及以上的范围内；和/或

其中，所述第一半导体管芯包括硅管芯或氮化镓管芯；和/或

其中，所述RF功率晶体管包括横向扩散金属氧化物半导体晶体管和场效应晶体管中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的射频RF功率放大器封装件，其中：

所述第一电容器和所述第二电容器集成在所述第一半导体管芯上，其中，所述封装件包括凸缘(1)和输出引线(2)，其中，所述第一半导体管芯使用芯片接合技术被安装到所述凸缘上；或者

其中，所述第一电容器和所述第二电容器集成在第二管芯(18)上，所述第二管芯为半导体管芯，所述第二管芯布置在所述封装件内部，其中，所述封装件包括凸缘(1)和输出引线(2)，其中，所述第一半导体管芯和所述第二管芯使用芯片接合技术被安装到所述凸缘上；

其中：

所述第一电容器包括第一电极和第二电极，在所述第一电容器的第一电极与第二电极之间布置有第一电介质，并且其中，所述第二电容器包括第一电极和第二电极，在所述第二电容器的第一电极与第二电极之间布置有第二电介质，其中，所述第一电容器的第一电极电耦接至所述第一电感器，并且其中，所述第一电容器的第二电极耦接至所述第二电容器的第一电极，其中，所述第二电容器的第二电极连接至地；

其中，所述封装件包括偏置引线(3)和第四多条接合线(12)，所述第四多条接合线从所述偏置引线延伸至所述第一电容器。