[发明专利]芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法

权利要求书

1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：

第一芯片，包括：

第一衬底；

第一内连线结构，位于所述第一衬底的第一表面上；

第一焊垫，位于所述第一内连线结构上；以及

第一接触导体，位于所述第一衬底中，且暴露于所述第一衬底的相对于所述第一表面的第二表面；以及

第二芯片，位于所述第一芯片上，所述第二芯片包括：

第二衬底；

第二内连线结构，位于所述第二衬底上；

第二焊垫，位于所述第二内连线结构上；以及

第二接触导体，位于所述第二衬底中，

其中所述第一接触导体直接实体接触所述第二焊垫，所述第一接触导体具有宽度A，所述第二焊垫具有宽度B，且5≤B/A。

2.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，其中所述第一接触导体未覆盖所述第一衬底的所述第二表面。

3.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，还包括：

承载板，位于所述第一芯片的下方。

4.根据权利要求3所述的芯片堆叠结构，其中所述承载板包括承载芯片，且所述第一芯片的所述第一焊垫连接至所述承载芯片的焊垫。

5.根据权利要求4所述的芯片堆叠结构，其中所述承载芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度。

6.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，还包括：

介电层，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间。

7.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，其中所述第二芯片的主动面朝向所述第一芯片的背面。

8.一种管芯堆叠结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片，包括第一管芯，所述第一管芯包括第一衬底材料层及依序形成于第一衬底材料层上的第一内连线结构及第一焊垫，其中所述第一衬底材料层中具有第一接触导体；

提供第二晶片，包括第二管芯，所述第二管芯包括第二衬底材料层及依序形成于第二衬底材料层上的第二内连线结构及第二焊垫，其中所述第二衬底材料层中具有第二接触导体；

移除部分所述第一衬底材料层，以形成第一衬底，且所述第一接触导体暴露于所述第一衬底的远离所述第一内连线结构的表面；以及

将所述第二晶片覆盖于所述第一衬底上，使得所述第一接触导体直接实体接触所述第二焊垫，

其中所述第一接触导体直接实体接触所述第二焊垫，所述第一接触导体具有宽度A，所述第二焊垫具有宽度B，且5≤B/A。

9.根据权利要求8所述的管芯堆叠结构的制造方法，其中所述第一接触导体未覆盖所述第一衬底的远离所述第一内连线结构的表面。

10.根据权利要求8所述的管芯堆叠结构的制造方法，还包括：

在移除部分所述第一衬底材料层之前，将所述第一晶片设置于承载板上。

11.根据权利要求10所述的管芯堆叠结构的制造方法，其中所述承载板包括承载晶片，且所述承载晶片包括第三管芯，其中所述第一管芯的所述第一焊垫连接至所述第三管芯的焊垫。

12.根据权利要求8所述的管芯堆叠结构的制造方法，其中所述第二管芯的主动面面对所述第一管芯的背面。

13.根据权利要求8所述的管芯堆叠结构的制造方法，还包括：

移除部分所述第一衬底材料层之后，在所述第一衬底的远离所述第一内连线结构的表面上形成介电层，其中所述介电层暴露所述第一接触导体。