[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在两个鳍结构之间形成由介电材料制成的分隔壁；

在所述分隔壁和所述两个鳍结构上方形成伪栅极结构；

在所述伪栅极结构上方形成层间介电(ILD)层；

去除所述层间介电层的上部，从而暴露所述伪栅极结构；

用金属栅极结构替换所述伪栅极结构；以及

实施平坦化操作以暴露所述分隔壁，从而将所述金属栅极结构分成第一栅极结构和第二栅极结构，

其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过所述分隔壁分隔开，

其中，所述方法还包括：

形成所述两个鳍结构；以及

形成隔离绝缘层，从而使得所述两个鳍结构的上部从所述隔离绝缘层突出，

其中，所述分隔壁穿过所述隔离绝缘层的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔壁包括SiCN、氧化锆、氧化铝和氧化铪的一层或多层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪栅极结构包括由多晶硅制成的伪栅电极。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述分隔壁的底部嵌入在所述隔离绝缘层内。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述分隔壁设置在中间鳍结构上，所述中间鳍结构设置在所述两个鳍结构之间并且具有比所述两个鳍结构更小的高度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述两个鳍结构之间形成由介电材料制成的所述分隔壁之后，使所述分隔壁部分地凹进。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述伪栅极结构的相对侧上形成侧壁间隔件，

其中，在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之后，所述第一栅极结构上的侧壁间隔件与所述第二栅极结构上的侧壁间隔件通过所述分隔壁分隔开。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别包括栅极介电层和栅电极层，以及

所述栅极介电层形成在所述分隔壁的侧壁上。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成第一鳍结构、第二鳍结构和第三鳍结构，所述第二鳍结构位于所述第一鳍结构和所述第三鳍结构之间，所述第一鳍结构至所述第三鳍结构的每个均由半导体材料制成并且具有绝缘盖层；

形成隔离绝缘层，从而使得所述第一鳍结构至所述第三鳍结构嵌入在所述隔离绝缘层内并且暴露所述绝缘盖层；

在所述隔离绝缘层上方形成第一掩模图案，所述第一掩模图案具有位于所述第二鳍结构上方的第一开口；

通过使用所述第一掩模图案作为蚀刻掩模的蚀刻使所述第二鳍结构凹进；

在凹进的第二鳍结构上形成介电分隔壁，其中，所述介电分隔壁穿过所述隔离绝缘层的部分；

使所述隔离绝缘层凹进，以使所述第一鳍结构和所述第三鳍结构的上部以及所述介电分隔壁的上部暴露；

在暴露的第一鳍结构和暴露的第三鳍结构以及暴露的介电分隔壁上方形成第一伪栅极结构；

在所述第一伪栅极结构上方形成层间介电(ILD)层；

去除所述层间介电层的上部，从而暴露所述第一伪栅极结构；

用金属栅极结构替换所述第一伪栅极结构；以及

实施平坦化操作，以暴露所述介电分隔壁，从而将所述金属栅极结构分成第一栅极结构和第二栅极结构，

其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过所述介电分隔壁分隔开。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述介电分隔壁包括SiCN、氧化锆、氧化铝和氧化铪的一层或多层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一掩模图案包括非晶硅层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一掩模图案还包括所述非晶硅层下面的氮化硅层。