[发明专利]永久结合晶圆的方法及装置

权利要求书

1.一种使第一衬底（1)的第一接触面(3)与第二衬底（2）的第二接触面(4)结合的方法，其中所述第二衬底(2)具有最少一个反应层(7)，所述方法具有以下流程：

-将所述第一衬底（1)和所述第二衬底（2）容纳于等离子体腔室(20、20’、20)中或容纳于连接至等离子体腔室(20、20’、20)的衬底腔室中，其中所述等离子体腔室(20、20'、20)具有至少两个能在不同频率(f_2l、f₂₂）下操作以产生等离子体的发生器(23、24)，

-通过将在所述等离子体腔室(20、20'、20)中产生的等离子体施加于所述第一接触面(3)而在该第一接触面(3)上的储存器形成层(6)中形成储存器(5)，

-用第一离析剂或第一组离析剂至少部分填充所述储存器(5)，

-使所述第一接触面(3)与所述第二接触面(4)接触以形成预结合连接，

-通过使所述第一离析剂与所述第二衬底(2）的反应层(7)中所含的第二离析剂进行反应来使至少一个所述接触面变形，至少部分增强所述第一与第二接触面(3，4)之间永久结合的形成。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述不同频率(f_2l、f₂₂）中的第一频率(f₂₁)是在1MHz与100MHz之间或所述不同频率(f_2l、f₂₂）中的第二频率(f₂₂)是在在10kHz与100MHz之间。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中填在所述储存器(5)中的所述第一离析剂与用于形成所述永久结合的所述第二离析剂反应。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述第一离析剂与所述第二离析剂的反应将所述第一与第二接触面(3，4)之间的至少一个间隙至少部分地闭合。

5.一种使第一衬底（1)的第一接触面(3)与第二衬底(2）的第二接触面(4)结合的方法，其中所述第二衬底(2)具有最少一个反应层(7)，所述方法具有以下流程：

-将所述第一衬底（1)和所述第二衬底（2）容纳于电感耦合的等离子体腔室中，

-通过对所述第一接触面(3)施加借助于线圈(26)的电感耦合所产生的等离子体而在所述第一接触面(3)上的储存器形成层(6)中形成储存器(5)，其中在等离子体产生期间在第一发生器(23)上施加不同于第二发生器(24)的第二频率(f₂₂)的第一频率(f₂₁)，

-用第一离析剂或第一组离析剂至少部分填充所述储存器(5)，

-使所述第一接触面（3)与所述第二接触面(4)接触以形成预结合连接，

-通过使所述第一离析剂与所述第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二离析剂进行反应来使至少一个所述接触面变形，至少部分增强所述第一与第二接触面(3，4)之间永久结合的形成。

6.如权利要求1或5所述的方法，其中所述储存器(5)包括孔隙率在纳米范围内的多孔层或具有通道的层，其中通道厚度小于10nm。

7.如权利要求1或5所述的方法，其中至少部分填充所述储存器(5)包括通过用含有第一离析剂的流体冲洗来填充所述储存器，所述第一离析剂包括H₂O、H₂O₂和NH₄OH中的至少一种。