[发明专利]一种基于电子束蒸发技术的ZnO高透过率高电导率薄膜制备方法

权利要求书

1.一种基于电子束蒸发技术的ZnO高透过率高电导率薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将氧化锌粉末放在模具里加压，压制成致密的块状物后，取出，置于刚玉盒内，24h后放入烧结炉中，在一定的温度下烧结成型；

S2、打开机器，将靶材放入铜质坩埚内，将清洗干燥后的石英玻璃卡入载片盘，将电子束蒸发台的钟罩抽成真空，充入氢气或氮气清洗钟罩，加热石英玻璃片，用电子束轰击靶材，并且控制好蒸发速率即可。

2.如权利要求1所述的一种基于电子束蒸发技术的ZnO高透过率高电导率薄膜制备方法，其特征在于，所述石英玻璃通过以下步骤完成清洗干燥：

取一定尺寸的玻璃，两面用洗涤剂清洗干净后，依次用自来水、去离子水冲洗，自然干燥后将其置于不锈钢挂架上，依次用丙酮超声清洗5分钟、无水乙醇超声清洗5分钟、去离子水超声清洗两次，每次5分钟，然后将洗好的玻璃放入烘箱干燥，待用。

3.如权利要求1所述的一种基于电子束蒸发技术的ZnO高透过率高电导率薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11、将氧化锌颗粒(粉末)装满直径为2.5cm，深4cm的模具，略加振动，装满后倒入一清洁容器内，加入少量聚乙烯醇，搅拌均匀后装入模具，接着加压，当压力在31MPa的时候停止加压，得致密的块状物；

S12、将所得的致密的块状物取出，放入石英或刚玉盒中盖好盖。24h后将样品盒放入烧结炉中加温，恒温区温度为50℃、100℃、250℃、400℃、600℃、800℃、1000℃、1100℃。

4.如权利要求1所述的一种基于电子束蒸发技术的ZnO高透过率高电导率薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括如下步骤：

S21、打开电子束蒸发台的钟罩，将清洗干燥后的石英玻璃卡入载片盘，将制备好的靶材放入铜质坩埚，密闭钟罩门并且锁死，开启机械泵和低真空阀，当真空度达到10^-1Pa的时候，关闭低真空阀，并向钟罩内充入氢气或氮气到0.1MPa(清洗钟罩)；打开低真空阀，当真空度再次达到10^-1Pa的时候，切换机械泵气路控制阀到抽系统；打开涡轮分子泵和高真空阀，待真空度达到4×10^-4Pa的时候，启动衬底加热装置和旋转驱动机构，在石英玻璃片的温度达到425℃时，且真空度再次达到4×10^-3Pa的时候，打开灯丝电源，打开6000伏高压，缓慢调节灯丝电压并观察电子束打在靶材上的位置，同时调节磁场改变电子束落点到合适位置；

S22、打开薄膜测厚仪和挡板，观察测厚仪指示数值，当薄膜厚度达到一定厚度时，关闭高压，关闭灯丝电压，然后关闭测厚仪、加热装置、旋转驱动机构、高真空阀、涡轮分子泵和机械泵，机器冷却后取出，即得。