[发明专利]基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件在审
| 申请号： | 201710598738.6 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107329285A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 刘正奇;刘桂强;黄镇平;张后交;陈戬 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙)36126 | 代理人： | 黄晶 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ito 金属 半导体 结构 红外 光吸收 器件 | ||
1.一种基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，它包括衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层，所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成；所述金属膜层、半导体结构层形成具有近红外光完美吸收特性的结构，通过调节半导体结构的几何参数和单元晶格的周期，调控光吸收特性。
2.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体颗粒组成的周期性阵列图案设置在半导体膜层上表面。
3.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体结构层的材料为砷化镓、硅、磷化铟、砷化铟中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述金属膜层的材料为铝或铁。
5.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体颗粒的结构为圆柱体结构。
6.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体膜层厚度处于20nm～50nm范围。
7.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述衬底的材料为硅片、玻璃或柔性材料。
8.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体颗粒阵列为四方晶格，阵列的周期为300nm～700nm。
9.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述半导体颗粒的图案形状大小相同，半导体颗粒的尺寸大小包括直径范围为200nm～600nm、厚度范围为20nm～100nm。
10.根据权利要求1所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述金属膜层其厚度大于等于50nm。
11.根据权利要求10所述的基于ITO-金属-半导体结构的近红外光吸收器件，其特征在于：所述金属膜层其厚度为50nm～200nm。
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