[发明专利]一种充放电合路器及供电系统在审

专利信息
申请号: 201710596248.2 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107154665A 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 隋延波;马强;孔维凯 申请(专利权)人: 山东圣阳电源股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 273100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 放电 合路器 供电系统
【权利要求书】:

1.一种充放电合路器,应用于供电系统,所述供电系统包括N个电池组,N为正整数,其特征在于,所述充放电合路器包括N个与所述电池组一一对应、用于根据预设充放电电压和预设充放电电流对与其对应的电池组的充放电进行控制的充放电模块,每个充放电模块的一端和与其对应的电池组连接,每个充放电模块的另一端与直流母线连接。

2.如权利要求1所述的充放电合路器,其特征在于,所述充放电模块包括:

微控制单元MCU和与所述MCU连接的充放电执行模块,所述MCU用于根据预设充放电电压和预设充放电电流并通过所述充放电执行模块对与其对应的电池组的充放电进行控制。

3.如权利要求2所述的充放电合路器,其特征在于,所述充放电执行模块包括第一PMOS及其驱动电路、第二PMOS及其驱动电路、第三PMOS及其驱动电路、第四PMOS及其驱动电路、第五PMOS及其驱动电路、第六PMOS及其驱动电路、NMOS及其驱动电路、第八PMOS及其驱动电路、电感、稳压电容和二极管,且各个MOS管均包括寄生二极管,其中:

所述MCU分别通过各个MOS管的驱动电路对应与各个MOS管的栅极连接,所述第一PMOS的漏极与所述第八PMOS的漏极连接,所述第八PMOS的源极分别与所述直流母线的正母线、所述稳压电容的正端及所述第六PMOS的源极连接,所述第六PMOS的漏极与所述第五PMOS的漏极连接,所述第五PMOS的源极分别与所述第二PMOS的漏极及所述电感的第一端连接,所述电感的第二端分别与所述第一PMOS的源极、所述第四PMOS的源极、所述NMOS的漏极及所述二极管的阴极连接,所述第四PMOS的漏极与所述第三PMOS的漏极连接,所述第三PMOS的源极分别与所述第二PMOS的源极及对应的电池组的正极连接,所述NMOS的源极分别与所述二极管的阳极、所述电池组的负极、所述直流母线的负母线及所述稳压电容的负端连接。

4.如权利要求2所述的充放电合路器,其特征在于,所述充放电执行模块包括第一NMOS及其驱动电路、第二NMOS及其驱动电路、第三NMOS及其驱动电路、第四NMOS及其驱动电路、第五NMOS及其驱动电路、第六NMOS及其驱动电路、PMOS及其驱动电路、第八NMOS及其驱动电路、电感、稳压电容和二极管,且各个MOS管均包括寄生二极管,其中:

所述MCU分别通过各个MOS管的驱动电路对应与各个MOS管的栅极连接,所述第一NMOS的源极分别与对应的电池组的负极及所述第三NMOS的源极连接,所述第一NMOS的漏极分别与所述电感的第一端及所述第八NMOS的源极连接,所述第八NMOS的漏极与所述第二NMOS的漏极连接,所述第二NMOS的源极分别与所述第六NMOS的源极、所述稳压电容的负端及所述直流母线的负母线连接,所述第三NMOS的漏极与所述第四NMOS的漏极连接,所述第四NMOS的源极分别与所述电感的第二端、所述第五NMOS的源极、所述PMOS的源极及所述二极管的阳极连接,所述第五NMOS的漏极与所述第六NMOS的漏极连接,所述PMOS的漏极分别与对应的电池组的正极、所述二极管的阴极、所述稳压电容的正端及所述直流母线的正母线连接。

5.如权利要求3或4所述的充放电合路器,其特征在于,所述充放电合路器还包括充放电模块控制器,所述充放电模块控制器包括:

处理模块及分别与所述处理模块连接的参数设置模块和通信模块,所述参数设置模块用于通过所述处理模块对各个所述电池组的预设充放电电压和预设充放电电流进行设置或者修改,所述处理模块用于通过所述通信模块将重新设置后的预设充放电电压和预设充放电电流发送至对应的MCU。

6.如权利要求5所述的充放电合路器,其特征在于,所述参数设置模块还用于对各个电池组的类型进行设置;

所述MCU还用于在电池组放电时,根据各个电池组的类型及预设优先级控制电池组的放电顺序。

7.如权利要求5所述的充放电合路器,其特征在于,所述充放电模块控制器还包括:

与所述处理模块连接的显示模块,用于显示所述参数设置模块设置的预设充放电电压和预设充放电电流。

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