[发明专利]测试结构、阵列基板和显示装置

说明书

本发明提供一种测试结构，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。相应地，本发明还提供一种阵列基板和显示装置。本发明能够提高对显示区的电容检测的检测效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种测试结构、阵列基板和显示装置。

背景技术

在显示装置的制作过程中，由于设计和工艺的一些欠缺以及环境等因素会导致膜层间存在杂质，导致薄膜晶体管特性存在异常，因此需要对薄膜晶体管的特性进行监控，主要包括：检测两层金属层形成的电容大小，例如，栅金属层与源漏金属层形成的电容大小、源漏金属层与像素电极层形成的电容大小等等。

目前，通过设置测试结构来检测各个电容大小，每个测试结构对应一个电容。图1为现有技术中所使用的三个测试结构示意图；其中，测试结构11用于检测栅金属层与源漏金属层形成的电容(其电介质为栅极绝缘层)大小，测试结构12用于检测源漏金属层与像素电极层形成的电容大小，测试结构13用于检测栅金属层与像素电极层形成的电容大小。以测试结构11为例，其包括堆叠部111和两个测试部112，堆叠部111包括与显示区的栅金属层同层设置的栅测试层111a、与显示区的栅极绝缘层同层设置的绝缘测试层、与显示区的源漏金属层同层设置的源漏测试层111b；两个测试部112分别与栅测试层111a和源漏测试层111b相连。测试时，测试设备的四个测试针中，两个测试针插在其中一个测试部112上，另外两个测试针插在另一个测试部112上。这种测试方式存在以下问题：

由于测试设备的测试针的相对位置是固定的，而不同测试结构之间的距离较大，因此，只能逐一在测试结构上进行插针测试，每测试一个电容，需将测试针重新挪动定位，极大地降低了测试效率。

另外，由于显示产品的边框越来越窄，因此，现有技术中将试结构设置在母板的边缘区，而母板切割为多个单独的阵列基板之后，则无法对薄膜晶体管的特性继续监控。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种测试结构、阵列基板和显示装置，以提高测试效率。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种测试结构，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。

优选地，对于任意两个测试电容，该两个测试电容之间设置有测试件，所述测试件与该两个相邻的测试电容中的两个相连的测试电极相连，且该两个测试电极连接处的插孔设置在所述测试件上。

优选地，所述测试电容的数量为四个，每两个所述连接处之间的距离相等。

优选地，任意两个相邻的测试电容中，相连的两个测试电极材料相同。

优选地，多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容，

所述第一测试电容的两个测试电极分别为第一下电极和位于该第一下电极上方的第一上电极；

所述第二测试电容的两个测试电极分别为第二下电极和位于该第二下电极上方的第二上电极；

所述第三测试电容的两个测试电极分别为第三下电极和位于该第三下电极上方的第三上电极；

所述第四测试电容的两个测试电极分别为第四下电极和位于该第四下电极上方的第四上电极；