[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统

说明书

一种半导体器件，可以包括修复地址储存电路、地址比较电路以及字线选择电路。修复地址储存电路可以储存第一修复地址和第二修复地址。地址比较电路可以通过将输入地址与第一修复地址进行比较来产生第一比较信号，以及可以通过将输入地址与第二修复地址进行比较来产生第二比较信号。字线选择电路可以基于第一比较信号和第二比较信号来产生与第一比较信号相对应的第一冗余字线选择信号和与第二比较信号相对应的第二冗余字线选择信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年12月13日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0169704号韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及半导体器件及包括其的半导体系统，更具体地，涉及在存在与一个输入地址相对应的至少两个修复地址的情况下可以选择一个修复地址的半导体器件及半导体系统。

背景技术

半导体器件可以包括大量存储单元。制造技术的发展使得能够将大量存储单元集成到半导体器件中。然而，如果半导体器件具有有缺陷存储单元，则可能会发生故障。即使半导体器件仅包括一个有缺陷存储单元，半导体器件也可能发生故障。

目前，半导体器件通常在其中包括冗余存储单元。如果通过测试发现只有少量的存储单元有缺陷，则用冗余存储单元代替有缺陷存储单元，而不是丢弃半导体器件，以实现有利的产量水平。

就此而言，当请求访问有缺陷存储单元时，可以使用冗余控制电路将有缺陷存储单元的地址重新映射到其他存储单元的地址。例如，可以通过将有缺陷存储单元的地址(以下，称为“故障单元”)重新映射到冗余存储单元的地址来修复半导体器件。

如果在读取/写入操作期间尝试对故障单元进行访问，则通过将故障单元的地址重新映射到正常存储单元的地址来访问正常存储单元而不是访问故障单元。这里，正常存储单元可以是冗余存储单元。

因此，即使与输入地址相对应的存储单元是故障单元，半导体器件也可以通过修复故障单元(以下，称为“修复操作”)来正确地操作。

为了执行修复操作，半导体器件包括非易失性存储电路，并且故障单元的地址(以下，称为“修复地址”)被储存在非易失性存储电路中。这里，非易失性存储电路的示例可以包括电熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、磁性随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)以及相变随机存取存储器(PCRAM)。

如果在非易失性存储器中仅储存修复地址一次，则每个修复地址只能存在一个冗余地址。

然而，修复地址可以被储存多次，因此相同的修复地址可能储存在不同的位置。在这种情况下，由于对于相同的修复地址存在至少两个冗余地址，因此可能发生地址冲突。

发明内容

在实施例中，半导体器件可以包括修复地址储存电路、地址比较电路以及字线选择电路。修复地址储存电路可以储存第一修复地址和第二修复地址。地址比较电路可以通过将输入地址与第一修复地址进行比较来产生第一比较信号，以及通过将输入地址与第二修复地址进行比较来产生第二比较信号。字线选择电路可以基于第一比较信号和第二比较信号来产生与第一比较信号相对应的第一冗余字线选择信号和与第二比较信号相对应的第二冗余字线选择信号。

在实施例中，半导体系统可以包括控制器和半导体器件。半导体器件可以基于将输入地址与第一修复地址和第二修复地址中的每个进行比较的结果，来产生与提供给半导体器件的第一修复地址相对应的第一冗余字线选择信号以及与被记录在半导体器件中的第二修复地址相对应的第二冗余字线选择信号。控制器可以将第一修复地址储存在半导体器件中。

附图说明

图1是图示根据实施例的半导体器件的示例的配置图。

图2是图示图1所示的熔丝组锁存器阵列的示例的配置图。