[发明专利]一种提高复投单晶硅成晶率的方法有效
| 申请号： | 201710594992.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107460538B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 霍志强;马国瑞;刘有益;杨瑞峰;王凯;吴若林;梁山;贾海洋;谷守伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李成运 |
| 地址： | 010070 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 投料筒 硅料 单晶硅 石英坩埚 方石英 氧化钡 二氧化硅反应 针孔 致密 碳酸钡粉末 直拉单晶硅 底部圆角 二氧化硅 溶液腐蚀 杂质气体 硅溶液 硅酸钡 碳酸钡 液面高 加热 腐蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高复投单晶硅成晶率的方法，其特征在于：拉晶生产至坩埚内剩余20-30％液态硅料时，通过复投料筒向坩埚内投入硅料，当投入坩埚内硅料液面高出坩埚底部圆角25-35mm距离后，通过该复投料筒向坩埚内投入封于料块内的数克碳酸钡，然后通过该复投料筒继续向坩埚内投入硅料。
2.根据权利要求1所述的一种提高复投单晶硅成晶率的方法，其特征在于：所述碳酸钡投入量为2-3g。
3.根据权利要求1所述的一种提高复投单晶硅成晶率的方法，其特征在于：投放碳酸钡时，将碳酸钡放置在复投料筒内距投料桶底部1/3位置处进行。
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